恭喜北京怀柔实验室魏晓光获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利封装电极及其制造方法、半导体封装器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119560385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510122630.4，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权封装电极及其制造方法、半导体封装器件是由魏晓光;唐新灵;郝炜;林仲康;高佳敏;代安琪;石浩;王亮;赵晓亮;于克凡设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装电极及其制造方法、半导体封装器件在说明书摘要公布了：本公开涉及一种封装电极及其制造方法、半导体封装器件。所述制造方法包括：制备金刚石复合金属基层，并于金刚石复合金属基层的上下两侧表面分别形成第一合金层和第二合金层，于金刚石复合金属基层的侧壁上形成导电凸缘；其中，金刚石复合金属基层、第一合金层、第二合金层和导电凸缘为一体结构；第一合金层和第二合金层二者背离金刚石复合金属基层的表面为机加工表面，用于直接接触芯片；导电凸缘的法兰焊接表面无金刚石成分。本公开有利于提升大尺寸封装电极的成型质量及性能，从而有效提升半导体封装器件的封装可靠性。
本发明授权封装电极及其制造方法、半导体封装器件在权利要求书中公布了：1.一种封装电极的制造方法，其特征在于，制备金刚石复合金属基层，并于所述金刚石复合金属基层的上下两侧表面分别形成第一合金层和第二合金层，于所述金刚石复合金属基层的侧壁上形成导电凸缘；其中，所述金刚石复合金属基层、所述第一合金层、所述第二合金层和所述导电凸缘为一体结构；所述第一合金层和所述第二合金层二者背离所述金刚石复合金属基层的表面为机加工表面，用于直接接触芯片；所述导电凸缘的法兰焊接表面无金刚石成分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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