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龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利液相法生长碳化硅的多场耦合网格划分方法、装置和产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119272521B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411431456.3，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权液相法生长碳化硅的多场耦合网格划分方法、装置和产品是由李早阳;杨垚;李登辇;祁冲冲;钟泽琪;祁超;罗金平;刘立军设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本液相法生长碳化硅的多场耦合网格划分方法、装置和产品在说明书摘要公布了：本申请提供了一种液相法生长碳化硅的多场耦合网格划分方法、装置和产品，涉及单晶生长技术领域，该方法为：根据液相法生长碳化硅系统的结构信息，建立几何模型；按照最大计算网格总量，进行网格划分，得到数值计算模型；基于数值计算模型，模拟多个不同电磁感应加热频率下的电磁感应加热过程、传热流动过程与组分输运过程，得到多组模拟结果；根据多组模拟结果，计算得到目标厚度拟合曲线，包括：浓度边界层厚度拟合曲线、热量边界层厚度拟合曲线和洛伦兹力边界层厚度拟合曲线；根据当前电磁感应加热频率，从厚度拟合曲线中确定多物理场耦合网格的网格厚度，进行网格划分，得到目标数值计算模型。

本发明授权液相法生长碳化硅的多场耦合网格划分方法、装置和产品在权利要求书中公布了：1.一种液相法生长碳化硅的多场耦合网格划分方法，其特征在于，所述方法包括：根据液相法生长碳化硅系统的结构信息，建立几何模型；按照最大计算网格总量，对所述几何模型进行计算网格划分，设置所述几何模型中对应计算网格的边界条件，设置电磁感应控制方程、传热流动控制方程和组分输运控制方程，得到数值计算模型；基于所述数值计算模型，模拟多个不同电磁感应加热频率下的电磁感应加热过程、传热流动过程与组分输运过程，得到多组模拟结果；根据所述多组模拟结果，计算得到目标厚度拟合曲线，所述目标厚度拟合曲线包括：浓度边界层厚度拟合曲线、热量边界层厚度拟合曲线和洛伦兹力边界层厚度拟合曲线；根据当前电磁感应加热频率，从所述厚度拟合曲线中确定所述液相法生长碳化硅系统中各个区域的多物理场耦合网格的网格厚度，进行网格划分，得到目标数值计算模型。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710048 陕西省西安市咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。