恭喜武汉钧恒科技有限公司方文银获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉钧恒科技有限公司申请的专利一种硅光芯片及400G DR4硅光模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222825710U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421911713.9，技术领域涉及：G02B6/42；该实用新型一种硅光芯片及400G DR4硅光模块是由方文银;彭开盛设计研发完成，并于2024-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅光芯片及400G DR4硅光模块在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种硅光芯片，包括：集成在芯片内部的一个2×2耦合器和两个1×2耦合器，以及集成在芯片内部且处在同侧的一个进光波导、四个出光波导以及一个测试波导，四个出光波导以及一个测试波导以倾斜8°方式并排分布；2×2耦合器的两个输入波导分别接进光波导以及测试波导，2×2耦合器的两个输出波导分别接两个1×2耦合器的输入波导，两个1×2耦合器所共同具有的四个输出波导分别与四个出光波导一一对接。一种400GDR4硅光模块，包括上述硅光芯片。有益效果为：可以使得测试时减少使用一个光纤阵列，有效的提升测试效率，方便量产测试。
本实用新型一种硅光芯片及400G DR4硅光模块在权利要求书中公布了：1.一种硅光芯片，其特征在于，包括：集成在芯片内部的一个2×2耦合器110和两个1×2耦合器120，以及集成在芯片内部且处在同侧的一个进光波导130、四个出光波导140以及一个测试波导150，四个出光波导140以及一个测试波导150以倾斜8°方式并排分布；所述2×2耦合器110的两个输入波导分别接进光波导130以及测试波导150，所述2×2耦合器110的两个输出波导分别接两个1×2耦合器120的输入波导，两个1×2耦合器120所共同具有的四个输出波导分别与四个出光波导140一一对接。
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