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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体单元结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112018112B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910458687.6，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体单元结构及其形成方法是由蔡燕飞;柴源;侯开华;陈剑;王俊设计研发完成，并于2019-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体单元结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体单元结构及其形成方法，半导体单元结构包括：位于基底上的第一栅极结构组，第一栅极结构组包括第一栅极结构，第一栅极结构沿第一方向延伸至第一区、第二区、以及第一区域两侧的第三区上；分别位于第一栅极结构两侧第一区中、以及分别位于第一栅极结构两侧第二区中的第一源区和第一漏区。所述半导体单元结构的性能提高。

本发明授权半导体单元结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体单元结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括第一区域和沿第一方向位于第一区域两侧的第三区，所述第一区域包括沿第一方向排列的第一区和第二区，第一区和第二区用于形成的晶体管类型和第三区用于形成的晶体管类型相反；位于基底上的第一栅极结构组，第一栅极结构组包括第一栅极结构，第一栅极结构沿第一方向延伸至第一区、第二区、以及第一区域两侧的第三区上；分别位于所述第一栅极结构组两侧基底上的第二栅极结构；部分第二栅极结构沿第一方向延伸至相邻的第一区和第三区上，部分第二栅极结构沿第一方向延伸至相邻的第二区和第三区上，第一区上的第二栅极结构和第二区上的第二栅极结构断开；或者，第二栅极结构沿第一方向延伸至第一区、第二区、以及第一区域两侧的第三区上；分别位于第一栅极结构两侧第一区中、以及分别位于第一栅极结构两侧第二区中的第一源区和第一漏区；分别位于第一栅极结构两侧第三区中的第二源区和第二漏区；所述半导体单元结构为反相器单元结构；所述半导体单元结构还包括：位于第一漏区上的第一插塞；位于第二漏区上的第二插塞；连接各第一插塞和各第二插塞的第一连接结构；所述第一连接结构包括：位于第一区上的第一连接层，第一连接层连接各第一区的第一插塞的顶部表面；位于第二区上的第二连接层，第二连接层连接各第二区的第一插塞的顶部表面；位于第一区域在第一方向一侧第三区上的第三连接层，第三连接层连接第一区域在第一方向一侧的各第二插塞的顶部表面；位于第一区域在第一方向另一侧第三区上的第四连接层，第四连接层连接第一区域在第一方向另一侧的各第二插塞的顶部表面；第五连接层，第五连接层连接第一连接层、第二连接层、第三连接层和第四连接层。

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