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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利GaN HEMT功率器件的驱动电路及开关电源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118316285B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410615758.X，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权GaN HEMT功率器件的驱动电路及开关电源电路是由高源;于洪宇;蒋苓利设计研发完成，并于2024-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN HEMT功率器件的驱动电路及开关电源电路在说明书摘要公布了：本申请公开了一种GaNHEMT功率器件的驱动电路及开关电源电路，应用于电力电子技术领域，用以解决现有技术中存在的GaNHEMT功率器件的驱动电路较为复杂的问题。具体包括：由第一开关模块、感性储能模块、至少一个正端容性储能模块、至少一个负端容性储能模块和控制器构成的电压变换电路、至少一个第一驱动模块和至少一个第二驱动模块。这样，通过控制第一开关模块在第一状态或第二状态切换工作，可以实现通过同一个电压变换电路同时产生负压和正压，以实现同时为驱动外部开关管的第一驱动模块以及驱动GaNHEMT功率器件的第二驱动模块供电，无需额外设置线性稳压器，简化电路设置，提升了驱动电路的效率。

本发明授权GaN HEMT功率器件的驱动电路及开关电源电路在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT功率器件的驱动电路，其特征在于，包括：由第一开关模块、感性储能模块、至少一个正端容性储能模块、至少一个负端容性储能模块和控制器构成的电压变换电路、至少一个第一驱动模块和至少一个第二驱动模块；所述第一开关模块的第一端与外部电源连接，所述第一开关模块的第二端与所述感性储能模块的第一端连接，所述第一开关模块的第三端与至少一个负压输出支路的第一端连接，所述第一开关模块的第四端与至控制器连接；所述感性储能模块的第二端与至少一个正压输出支路的第一端连接；每个所述正压输出支路的第二端与对应的第一驱动模块的正压端连接；每个所述正端容性储能模块与对应的正压输出支路连接；每个所述负压输出支路的第二端与对应的第二驱动模块的负压端连接；每个所述负端容性储能模块与对应的负压输出支路连接；每个所述第二驱动模块的输出端与对应的外部GaNHEMT功率器件的门极连接，每个所述第一驱动模块的输出端与对应的外部开关管的门极连接；所述第一开关模块用于在控制器的控制下工作于接通所述感性储能模块与外部电源的连接的第一状态，或工作于接通所述感性储能模块与至少一个负压输出支路的连接的第二状态。

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