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龙图腾网恭喜中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利改善含Ga合金化合物选区二次外延表面形貌的方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118016531B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410166616.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权改善含Ga合金化合物选区二次外延表面形貌的方法及应用是由荆晴晴;肖阳;辛毅捷;张宝顺;曾中明;蔡勇;尹立航;邓旭光设计研发完成，并于2024-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善含Ga合金化合物选区二次外延表面形貌的方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善含Ga合金化合物选区二次外延表面形貌的方法及应用。该方法包括：提供异质结，异质结包括沟道层和势垒层，沟道层的表面包括第一区域和与第一区域邻接的第二区域，势垒层层叠设置在沟道层的第一区域，势垒层和沟道层之间形成有载流子沟道；在势垒层的表面形成第一掩膜、在第一掩膜的表面形成具有晶格择优取向的第二掩膜，第二掩膜能够使外延生长含Ga合金化合物所需的前驱体成核生长；同步在沟道层的第二区域、第二掩膜层上外延生长含Ga合金化合物。本发明避免了生长过程中Ga原子和N原子的迁移导致的不同面积窗口生长的含Ga合金化合物厚度不均匀的问题以及表面粗糙度大的问题。

本发明授权改善含Ga合金化合物选区二次外延表面形貌的方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种改善含Ga二元多元合金化合物选区二次外延表面形貌的方法，其特征在于，包括：提供异质结，所述异质结包括沟道层和势垒层，所述沟道层的表面包括第一区域和与所述第一区域邻接的第二区域，所述势垒层层叠设置在所述沟道层的第一区域，所述势垒层和所述沟道层之间形成有载流子沟道；在所述势垒层的表面形成第一掩膜、采用物理气相沉积、金属有机化合物化学气相沉积、分子束外延的方式在所述第一掩膜的表面沉积形成具有晶格择优取向的第二掩膜，所述第二掩膜的材质包括包含Al、N、Ga、In中两种以上元素的二元多元合金化合物，所述第二掩膜的厚度为大于10nm，所述第二掩膜能够使外延生长含Ga二元多元合金化合物所需的前驱体成核生长；同步在所述沟道层的第二区域、所述第二掩膜层上外延生长n型掺杂的含Ga二元多元合金化合物，形成n型掺杂的含Ga二元多元合金化合物层，所述含Ga二元多元合金化合物还包含N、Al、In中的至少一种元素。

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