恭喜苏州精材半导体科技有限公司;北京精材半导体科技有限公司崔海珍获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州精材半导体科技有限公司;北京精材半导体科技有限公司申请的专利一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118064871B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311866948.0，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法是由崔海珍;吴涛设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法，属于化学气相沉积技术领域。本发明通过使用甲基三氯硅烷作为前驱体原料，氩气作为载流气体，对掺杂气体经预热器进行预热处理并完全分解为氮原子单位形式，进入化学气相沉积室，供应浓度均匀的氮原子，从而形成电阻率均匀的碳化硅膜。采用本发明方法制得的碳化硅膜的电阻率偏差符合多数产品对碳化规模的电阻率偏差的生产需求，相比使用未经预热处理的N型掺杂气体制得的碳化硅膜，电阻率偏差更低，能够提高产品质量及提供生产需求率。
本发明授权一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电阻率均匀的碳化硅膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将基底清洗干净，放置于化学气相沉积室内；S2、将掺杂气体经预热器进行预热处理，控制预热器内的温度为500～1500℃，预热器内的压力为1～1000torr；S3、对化学气相沉积室抽真空，当室内温度达到预定沉积温度时，通入甲基三氯硅烷气体、氩气和预热处理后的掺杂气体的混合气体，掺杂气体占混合气体的体积含量大于0.01％且小于等于10％，调整掺杂气体的通入温度与掺杂浓度，化学沉积至生成电阻率均匀的碳化硅膜；其中，所述掺杂气体为氮气，所述掺杂气体的通入温度为1000～1500℃，通过引入氮掺杂元素，氮元素取代碳化硅膜中的碳元素，使碳化硅膜中掺杂特定的N元素浓度，制得的碳化硅膜具有较低的电阻率。
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