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龙图腾网恭喜山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种能够控制出光角度的Micro led芯片制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117080236B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311042859.4，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种能够控制出光角度的Micro led芯片制备方法是由彭璐;王彦丽;吴向龙设计研发完成，并于2023-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种能够控制出光角度的Micro led芯片制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种能够控制出光角度的Microled芯片制备方法，属于光电子技术领域。本发明的焊盘为圆环状的圆环电极，通过圆环电极四周注入电流，通过ITO导入到环内的MQW层，从而产生发光，因环形电极及四周DBR层的限制，使光线集中于圆环出射，通过改变圆环的形状、材料可进一步改变出光角度，相较于正面出光的Micro芯片，本发明进一步缩小了出光角度，降低了对相邻像素的混光影响，本发明适用于RGB颜色的发光芯片。

本发明授权一种能够控制出光角度的Micro led芯片制备方法在权利要求书中公布了：1.一种能够控制出光角度的Microled芯片制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1在衬底上进行采用AlGaInP\GaN材料的外延生长，形成对应的RGB发光材料，RGB发光材料由下至上包括N型层、MQW和P型层；2对完成外延生长的发光材料的P型层进行干法刻蚀，刻蚀至衬底上表面，形成多个独立的发光单元；3利用光刻技术对每个独立的发光单元进行掩膜制作，利用掩膜保护中心出光区域，将芯片四周及侧壁露出；4对出光面的四周及侧壁进行离子注入；5利用ALD或PVD沉积Al2O3，对侧壁及表面形成钝化保护层；6使用去胶液，去除中心出光区域的掩膜；7利用电子束蒸发或磁控溅射在晶圆表面形成DBR，DBR材料为低折射率材料和高折射率介电材料交替堆叠形成；8通过离子束刻蚀的方式，对出光面进行刻蚀；9对刻蚀出的出光面制作ITO；10在ITO上方制作圆环电极；圆环电极图形为连续的圆环或间断的圆环，间断数量根据对出光角度的不同要求设定，当需要增大出光角度时，将完整的圆环分割为多个扇形组成的电极；11使用临时键合材料，将晶圆临时键合到临时衬底上，临时键合材料为PI、BCB或光刻胶；12通过湿法腐蚀或者激光剥离的方式将外延层与衬底剥离；13对剥离后露出的N型层沉积制作ITO；14通过双面曝光的方式，完成对ITO的图形制作，N型层对应P面圆环电极环内的区域留有ITO，其他区域的ITO去除；15对N面制备金属反射镜，完成芯片制作。

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