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龙图腾网恭喜山东工业陶瓷研究设计院有限公司申请的专利一种氮化硅生物陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117105690B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310862656.3，技术领域涉及：C04B38/06；该发明授权一种氮化硅生物陶瓷及其制备方法是由王营营;韩卓群;李伶;毕鲁南;张霞;王伟伟;王晓东;王飞设计研发完成，并于2023-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化硅生物陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种氮化硅生物陶瓷及其制备方法，氮化硅生物陶瓷的制备方法包括以下步骤：制备氮化硅陶瓷基体；配置助剂溶液；将助剂溶液浸渍到氮化硅陶瓷基体内，然后进行烧结，得到所述氮化硅生物陶瓷提供一种所述的氮化硅生物陶瓷制备方法，解决了氮化硅生物陶瓷弹性模量在25‑45GPa可调、孔隙率可调，陶瓷表面晶粒小、排列紧密、生物活性高，且避免碳残留导致的生物活性降低的问题。

本发明授权一种氮化硅生物陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化硅生物陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：制备氮化硅陶瓷基体；配制助剂溶液；将助剂溶液浸渍到氮化硅陶瓷基体内，然后进行烧结，得到所述氮化硅生物陶瓷；制备氮化硅陶瓷基体的第一种方法具体过程包括：制备第一氮化硅陶瓷基体料浆，将孔径为20-60ppi的有机泡沫体浸渍第一氮化硅陶瓷基体料浆，然后将浸渍后的有机泡沫体在50-100℃下进行一次干燥，得到氮化硅陶瓷基体坯体；将所述氮化硅陶瓷基体坯体预烧结得到氮化硅陶瓷基体；制备第一氮化硅陶瓷基体料浆的过程为：将氮化硅粉体、烧结助剂、料浆助剂与水混合得到所述第一氮化硅陶瓷基体料浆；所述氮化硅粉体、烧结助剂、料浆助剂、水的质量比为60-80：0.5-3.5:1-10：20-40；所述烧结助剂包括氧化铝、氧化钇、氧化铒、氧化镧、氧化镱、氧化铈中的一种或几种；所述料浆助剂包括羧甲基纤维素、邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二丁酯、阴离子分散剂中的一种或几种；所述氮化硅陶瓷基体坯体预烧结的温度为1000-1150℃；制备氮化硅陶瓷基体的第二种方法具体过程包括：制备第二氮化硅陶瓷基体料浆，通过3D打印制备具有立体网状结构的氮化硅陶瓷基体坯体；将所述氮化硅陶瓷基体坯体进行预烧结得到氮化硅陶瓷基体；制备第二氮化硅陶瓷基体料浆的过程为：将氮化硅粉体、光固化树脂、分散剂按质量比60-85：30-40：2-5混合，得到所述第二氮化硅陶瓷基体料浆；所述分散剂包括司盘20、吐温80、毕克103、曲拉通114中的一种或几种；所述光固化树脂包括第一聚合单体、第二聚合单体、稀释剂和光引发剂；所述第一聚合单体、第二聚合单体、稀释剂、光引发剂的质量比为60-70：10-30：5-15：0.1-5；将助剂溶液浸渍到氮化硅陶瓷基体内之后，在烧结之前，将浸渍助剂溶液的氮化硅陶瓷基体表面浸渍固化溶液，进行二次干燥，然后进行烧结；所述固化溶液包括硅溶胶或液态石蜡溶液；所述助剂溶液包括质量比为3-5：6-8：0-30：0-50：0-40：0-30：0-30：1-80的氧化铝、氧化硅、氧化镱、铝溶胶、硅溶胶、硝酸钇、硝酸铝和聚硅氮烷；所述氮化硅陶瓷基体在负压环境下浸渍助剂溶液，浸渍过程中真空度为-0.095--0.075MPa，浸渍时间30-60min；烧结时的烧结温度为1600-1750℃，保温时间为1-2h。

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