恭喜京东方华灿光电(苏州)有限公司陈张笑雄获国家专利权
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龙图腾网恭喜京东方华灿光电(苏州)有限公司申请的专利发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115799403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211429462.6,技术领域涉及:H10H20/01;该发明授权发光二极管及其制备方法是由陈张笑雄;龚逸品;王江波设计研发完成,并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了:本公开提供了一种发光二极管及其制备方法,属于半导体技术领域。该发光二极管包括衬底,以及依次生在衬底上的n型半导体层、复合发光层和透明导电层;复合发光层包括多个纳米线结构和散射介质,多个纳米线结构沿生长方向延伸,且相互平行间隔排布,散射介质填充在多个纳米线结构之间,散射介质为SiO2复合Ag粒子散射介质。本公开能够提高匀光效果。
本发明授权发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种发光二极管,其特征在于,包括衬底10,以及依次生在所述衬底10上的n型半导体层80、复合发光层40和透明导电层50;所述复合发光层40包括多个纳米线结构410和散射介质420,多个所述纳米线结构410沿生长方向延伸,且相互平行间隔排布,所述散射介质420填充在多个所述纳米线结构410之间,所述散射介质420为SiO2复合Ag粒子散射介质420。
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