恭喜南京邮电大学庄静文获国家专利权
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龙图腾网恭喜南京邮电大学申请的专利一种单极性卟啉铜忆阻器及其调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117240B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210794790.X，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种单极性卟啉铜忆阻器及其调控方法是由庄静文;凌海峰;明建宇;杨威;解令海设计研发完成，并于2022-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单极性卟啉铜忆阻器及其调控方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单极性卟啉铜忆阻器及其调控方法，本发明的忆阻器结构从下往上依次为底电极氧化铟锡ITO、有机功能层、无机阻变层非化学计量比氧化物、顶电极金属。所述无机阻变层为采用热原子层沉积薄膜制备所得的非化学计量比氧化物。本发明通过引入热原子层沉积工艺手段，获得了高质量可控的非化学计量比氧化物薄膜，实现了单极性电压调控的同时，为生物功能模拟以及神经形态计算提供了可能。
本发明授权一种单极性卟啉铜忆阻器及其调控方法在权利要求书中公布了：1.一种单极性卟啉铜忆阻器，所述单极性卟啉铜忆阻器包括四层结构，从下至上依次为底电极、有机功能层、无机阻变层和顶电极，所述无机阻变层为氧化物薄膜，所述顶电极为贵金属，其特征在于，所述有机功能层为金属卟啉铜薄膜，金属卟啉铜薄膜经真空镀膜设备制备后立即取出，放置在空气中放置12~24小时后再放入原子层沉积系统内继续制备无机阻变层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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