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龙图腾网恭喜上海航天技术基础研究所申请的专利一种利用荧光胶温度计算高温老化LED芯片结温的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115219870B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210746556.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种利用荧光胶温度计算高温老化LED芯片结温的方法是由陈凡;毛志勇;刘寅傲;罗杰;陈龙;王昆黍设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用荧光胶温度计算高温老化LED芯片结温的方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种利用荧光胶温度计算高温老化LED芯片结温的方法，包括步骤：通过热电偶测试的LED荧光胶温度校准红外法测试的LED荧光胶温度，确定校准P系数；确定LED芯片的温度敏感参数K系数；采用热电偶P系数校准后的红外法重新测定荧光胶温度，采用瞬态热阻法测试芯片结温；单独改变恒温炉温度，确定其对校准红外法荧光胶温度‑瞬态热阻法芯片结温曲线的影响；单独改变加热电流，确定其对校准红外法荧光胶温度‑瞬态热阻法芯片结温曲线的影响；将LED接入老化电路，采用校准红外法测试荧光胶温度，结合荧光胶温度‑芯片结温曲线，计算LED芯片结温。本发明无需测试荧光胶发射率，解决了传统方法不能快速精确测定高温老化LED芯片结温的不足。

本发明授权一种利用荧光胶温度计算高温老化LED芯片结温的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用荧光胶温度计算高温老化LED芯片结温的方法，其特征在于，包括步骤：步骤S10，采用恒温炉使LED器件升温，通过热电偶测试的LED荧光胶温度校准红外法测试的LED荧光胶温度，确定校准P系数；步骤S20，LED器件接入瞬态热阻测试电路后，再将LED器件放入油槽中，测试LED芯片PN结的温度敏感参数K系数；步骤S30，LED器件重新放入恒温炉，采用热电偶P系数校准后的红外测试法重新测定荧光胶温度，采用瞬态热阻法测试芯片结温；步骤S40，单独改变恒温炉温度，获得校准红外法荧光胶温度和瞬态热阻法芯片结温的曲线，确定恒温炉温度对曲线的影响；步骤S50，单独改变瞬态热阻法的加热电流，叠加不同加热电流下校准红外法荧光胶温度和瞬态热阻法芯片结温曲线，确定加热电流对曲线的影响；步骤S60，将LED器件接入高温老化测试电路，采用校准红外法测试荧光胶温度，结合最大加热电流下荧光胶温度和芯片结温的关系曲线，计算LED芯片结温。

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