恭喜格芯(美国)集成电路科技有限公司巴特罗梅·J·帕拉克获国家专利权
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龙图腾网恭喜格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利物理不可克隆函数的架构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114329637B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110992829.4，技术领域涉及：G06F21/71；该发明授权物理不可克隆函数的架构和方法是由巴特罗梅·J·帕拉克;克里斯蒂安·A·维特设计研发完成，并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本物理不可克隆函数的架构和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及物理不可克隆函数的架构和方法，公开了一种存储单元，包括在位线和源线之间串联的多个并联的第一存取晶体管和一第一可变电阻器，以及在所述位线和所述源线之间串联的多个并联的第二存取晶体管和一第二可变电阻器。写入字线控制一对第一和第二存取晶体管，以便在初始化模式期间，电阻器同时经受相同的写入偏置条件，以便一次性编程以从未编程状态其中，电阻器具有相同的第一电阻状态切换到编程状态其中，一个电阻器已经切换到第二电阻状态并且存储位。离散的第一和第二读取字线控制另一对第一和第二存取晶体管，以实现与第一和第二可变电阻器相关联的离散读取过程。还公开了相关电路例如，PUF和方法。
本发明授权物理不可克隆函数的架构和方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，包括：多个可变电阻器，包括：第一可变电阻器；以及第二可变电阻器，其中，如果所述第一可变电阻器的R1所述第二可变电阻器的R2，则存储位的逻辑值为0，而如果R1R2，则所述存储位的逻辑值为1；以及多个晶体管，包括：两个并联连接的第一晶体管；以及两个并联连接的第二晶体管，其中，所述第一晶体管与所述第一可变电阻器串联连接在位线和源线之间，且所述第一晶体管具有分别连接至公共写入字线和第一读取字线的栅极，且其中，所述第二晶体管和所述第二可变电阻器串联连接在所述位线和所述源线之间，以及所述第二晶体管具有分别连接至所述公共写入字线和第二读取字线的栅极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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