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龙图腾网恭喜鲁东大学申请的专利一种螺旋环电极硅阵列探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112071945B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010903799.0，技术领域涉及：H10F30/29；该发明授权一种螺旋环电极硅阵列探测器是由刘曼文;李正;李鑫卿设计研发完成，并于2020-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种螺旋环电极硅阵列探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种螺旋环电极硅阵列探测器，涉及辐射探测技术领域，其螺旋环电极面积远小于传统的整面电极面积，漏电流和电容更小，噪声小能量分辨率高；根据现有工艺，像素可以做到微纳级别，位置分辨率很高；探测器可以灵活设置加压方式，螺旋环的设计使得该电极有足够的空间来作为读出电极或者施加偏置电压，具体方案为：包括柱形基体，基体顶面上设有掺杂形成的螺旋环电极和中央电极共同构成的阴极，中央电极位于螺旋环电极正中，螺旋环电极环绕于中央电极之外，螺旋环电极的螺旋环数量为K，K为正整数，基体底面为掺杂形成的阳极；基体顶面电极上设有电极接触层，在没有电极接触层的地方覆盖有SiO2，基体底面整面电极设有电极接触层。

本发明授权一种螺旋环电极硅阵列探测器在权利要求书中公布了：1.一种螺旋环电极硅阵列探测器，其特征在于，包括柱形基体，基体顶面上设有掺杂形成的螺旋环电极和中央电极共同构成的阴极，中央电极位于螺旋环电极正中，螺旋环电极环绕于中央电极之外，螺旋环电极的螺旋环数量为K，K为正整数，基体底面为掺杂形成的阳极；基体顶面电极上设有电极接触层，在没有电极接触层的地方覆盖有SiO2，基体底面整面电极设有电极接触层；所述螺旋环电极为圆形螺旋环形、方形螺旋环形或正多边形螺旋环形；柱形基体为圆柱形、方柱形或正多边柱形；所述阴极是掺杂浓度为1×1019cm3—1×1021cm3的P型掺杂，掺杂深度为1μm；阳极是掺杂浓度为1×1019cm3—1×1021cm3的N型掺杂，掺杂深度为1μm；基体是掺杂浓度为1×1019cm3—1×1021cm3的N型掺杂。

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