恭喜意法半导体(鲁塞)公司J·德拉勒奥获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体(鲁塞)公司申请的专利包括限定MOSFET晶体管的有效沟道长度的操作的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010748995.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权包括限定MOSFET晶体管的有效沟道长度的操作的制造方法是由J·德拉勒奥;F·朱利恩设计研发完成，并于2020-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括限定MOSFET晶体管的有效沟道长度的操作的制造方法在说明书摘要公布了：一种包括限定MOSFET晶体管的有效沟道长度的操作的制造方法。在制造金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的过程中，在形成具有与参考沟道长度相关联的物理栅极长度的栅极区之前注入轻掺杂漏极区。注入轻掺杂漏极区的步骤包括形成限定轻掺杂漏极区和每个MOSFET的有效沟道长度的注入掩模。注入掩模的形成被配置为将至少一个MOSFET的有效沟道长度限定为不同于相应参考沟道长度。
本发明授权包括限定MOSFET晶体管的有效沟道长度的操作的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的方法，包括：针对第一MOSFET和第二MOSFET中的每个MOSFET：在将来栅极区的地点的任一侧注入轻掺杂区；以及形成具有与参考沟道长度相关联的物理栅极长度的栅极区；其中在形成之前进行注入；其中注入包括：形成限定所述轻掺杂区和所述第一MOSFET和所述第二MOSFET中的每个MOSFET的有效沟道长度的注入掩模，其中形成所述注入掩模被配置为限定不同于相应的参考沟道长度的所述第一MOSFET和所述第二MOSFET的所述有效沟道长度；还包括：形成与所述MOSFET的沟道区接触的至少一个横向隔离区，其中形成所述注入掩模被配置为限定所述MOSFET的所述有效沟道长度，以补偿由于与所述横向隔离区的寄生边缘效应而引起的晶体管特性的变化。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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