恭喜华邦电子股份有限公司白田理一郎获国家专利权
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龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利与非型闪速存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948526B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010681245.0，技术领域涉及：H10B43/10；该发明授权与非型闪速存储器及其制造方法是由白田理一郎设计研发完成，并于2020-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本与非型闪速存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种可以削减存储单元的平面尺寸的与非NAND型闪速存储器及其制造方法。本发明的三维结构的NAND型闪速存储器具有：基板、绝缘层、下部导电层源极、三维结构的存储单元结构体、以及位线。存储单元结构体包括：带状的多个栅极层叠体，包括自基板沿垂直方向层叠的绝缘体与导电体的层叠；以及多个沟道层叠体，沿着栅极层叠体的其中一个侧面分开地配置。沟道层叠体的上端部电连接于正交的位线，沟道层叠体的下端部电连接于下部导电层。
本发明授权与非型闪速存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维结构的与非型闪速存储器，包括：基板；下部导电层，形成于所述基板内或所述基板上；多个层叠体，在所述下部导电层上沿第一方向延伸，且所述多个层叠体分别包括自所述基板沿垂直方向层叠的绝缘体与导电体的层叠；多个沟道层叠体，沿着所述多个层叠体的其中一个侧面分开地配置，且所述多个沟道层叠体分别包括包含电荷蓄积层的绝缘层及沟道薄膜，所述绝缘层及所述沟道薄膜自所述基板沿垂直方向延伸，所述沟道薄膜的下端部电连接于所述下部导电层，其中各所述层叠体的最顶部表面包括被所述沟道层叠体的相应上端部所覆盖的第一部分和被所述沟道层叠体的所述相应上端部所暴露的第二部分；以及多个上部导电层，沿与所述第一方向正交的第二方向延伸，且所述多个上部导电层分别配置于所述多个沟道层叠体上，并与交叉的所述沟道薄膜的上端部电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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