恭喜青岛歌尔智能传感器有限公司范立云获国家专利权
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龙图腾网恭喜青岛歌尔智能传感器有限公司申请的专利半导体封装和制造半导体封装的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111081696B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911415897.3,技术领域涉及:H10D80/30;该发明授权半导体封装和制造半导体封装的方法是由范立云;王德信;陶源设计研发完成,并于2019-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装和制造半导体封装的方法在说明书摘要公布了:本公开的实施例涉及半导体封装。半导体封装包括:衬底,包括多个连接焊盘和多个接地焊盘;电子部件,被联接到衬底的安装表面,并且通过至少一个引线与多个连接焊盘中的至少一个连接;第一中介层,被布置在电子部件的背离衬底的第一表面上,并且包括相对布置的绝缘表面和接地表面;其中绝缘表面与电子部件的第一表面绝缘地耦合;并且接地表面经由第一屏蔽结构与多个接地焊盘连接。提供了具有屏蔽结构的半导体封装。本公开的的实施例的方案还提供了半导体封装的制造方法。
本发明授权半导体封装和制造半导体封装的方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装,其特征在于,包括:衬底10,包括多个连接焊盘12和多个接地焊盘14;电子部件20,被联接到所述衬底10的安装表面,并且通过至少一个引线21与所述多个连接焊盘12中的至少一个连接;第一中介层30,被布置在所述电子部件20的背离所述衬底10的第一表面23上,并且包括相对布置的绝缘表面35和接地表面33;其中,所述第一中介层30至少覆盖所述电子部件20的所述第一表面23的面积的80%;所述绝缘表面35与所述电子部件20的所述第一表面23绝缘地耦合;并且所述接地表面33经由第一屏蔽结构31与所述多个接地焊盘14连接;第二中介层40,位于所述电子部件20与所述衬底10之间,并且所述电子部件20通过所述第二中介层40与所述衬底10的安装表面联接,所述第二中介层40包括多个屏蔽焊盘41;第二屏蔽结构42,包括多个第二屏蔽线或第二屏蔽带,所述第二屏蔽线或第二屏蔽带与所述多个屏蔽焊盘41中的一个或多个连接以至少部分地包围所述电子部件20。
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