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龙图腾网恭喜新唐科技日本株式会社申请的专利非易失性存储装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113557613B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980093440.7，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权非易失性存储装置及其制造方法是由姫野敦史;早川幸夫;川岛光一;安原隆太郎设计研发完成，并于2019-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性存储装置及其制造方法在说明书摘要公布了：在非易失性存储装置100中，在存储区域60内从下方起依次形成有第1下层金属布线20、下部插塞30、电阻变化元件40、上部插塞32、第1上层金属布线23，在电路区域70内从下方起依次形成有第2下层金属布线21、第1过孔31、中层金属布线22、第2过孔33、第2上层金属布线24。第1、第2下层金属布线20、21形成于同层，第1、第2上层金属布线23、24形成于同层。电阻变化元件40和中层金属布线22相对于基板10的表面，上表面彼此的高度不同，或者下表面彼此的高度不同，或者上表面彼此的高度及下表面彼此的高度双方不同。

本发明授权非易失性存储装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储装置，包括形成于基板上的存储区域和其周边的电路区域，其中，在上述存储区域内，从下方起依次形成有第1下层金属布线、与上述第1下层金属布线连接的下部插塞、与上述下部插塞连接的电阻变化元件、与上述电阻变化元件的上表面中的仅一部分区域连接的上部插塞、以及与上述上部插塞连接的第1上层金属布线；在上述电路区域内，从下方起依次形成有第2下层金属布线、与上述第2下层金属布线连接的第1过孔、与上述第1过孔连接的中层金属布线、与上述中层金属布线连接的第2过孔、以及与上述第2过孔连接的第2上层金属布线；上述第1下层金属布线和上述第2下层金属布线是形成于同层的金属布线；上述第1上层金属布线和上述第2上层金属布线是形成于同层的金属布线；上述电阻变化元件及上述中层金属布线的上表面彼此及下表面彼此中的、至少某一方彼此相对于上述基板的表面处于不同高度的位置。

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