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龙图腾网恭喜济宁学院申请的专利一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110783398B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911220473.1，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管是由田涛;张营设计研发完成，并于2019-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体集成电路技术领域，包括NMOS管A、自偏置PMOS管B、NMOS管C，NMOS管A的N+漏区与NMOS管C的N+源区通过金属互连，NMOS管A的N+源区与PMOS管B的P+漏区相连，二者通过金属短接作为本发明器件的阴极，与上述阴极金属相连的多晶硅作为PMOS管B的栅极，传统硅横向绝缘栅双极型晶体管的阳极作为本发明器件的阳极，本发明与现有技术的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管相比，在相等的导通压降情况下，具有更大的电流密度，更小的导通损耗和芯片面积，解决了现有技术中出现的问题。

本发明授权一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管在权利要求书中公布了：1.一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底1，P型衬底1的上方依次设有埋氧2、N型外延层3和N型缓冲层4，N型外延层3的上方设有晶体管的阳极、阴极和栅极，其特征在于：所述的N型外延层3的上方设有NMOS管A25、自偏置PMOS管B26和NMOS管C27，N型外延层3的上方一侧设有第一P型阱区7和第二P型阱区19，第一P型阱区7和第二P型阱区19分别靠近晶体管的阳极和阴极，其中NMOS管A25设置在第二P型阱区19内，自偏置PMOS管B26跨接在所述第一P型阱区7和第二P型阱区19之间，NMOS管C27跨接在第一P型阱区7和N型外延层3之间，NMOS管A25与自偏置PMOS管B26相连，NMOS管A25包括A管N+漏区20、A管N+源区18，自偏置PMOS管B26包括B管P+漏区17，NMOS管C27包括C管N+源区9，其中A管N+漏区20与C管N+源区9互连，A管N+源区18与B管P+漏区17相连后通过阴极金属16短接引出作为晶体管的阴极，N型缓冲层4设置在N型外延层3的一侧，N型缓冲层4上层远离晶体管阴极方向的一侧设有P+阳极区5，C管N+源区9、第一P型阱区7、N型外延层3共同构成NPN型寄生三极管，第一P型阱区7、N型外延层3和P+阳极区5共同构成PNP型三极管；所述的NMOS管A25还包括A管多晶硅栅极22，NMOS管C27还包括C管多晶硅栅极11，A管多晶硅栅极22和C管多晶硅栅极11相连后作为晶体管的栅极；所述的NMOS管A25还包括A管栅氧化层23，A管栅氧化层23的下表面分别与A管N+漏区20和A管N+源区18的上表面接触，A管多晶硅栅极22位于A管栅氧化层23的上方，A管N+漏区20上方设有A管金属21，所述A管金属21、A管多晶硅栅极22和阴极金属16是互不相连的；所述的自偏置PMOS管B26还包括B管多晶硅栅极14，B管多晶硅栅极14与阴极金属16相连；所述的自偏置PMOS管B26还包括B管P+源区13和B管栅氧化层15，B管栅氧化层15的下表面分别与B管P+漏区17和B管P+源区13的上表面接触，B管多晶硅栅极14位于B管栅氧化层15的上方，阴极金属16位于B管P+漏区17上方，A管N+源区18和B管P+漏区17分别位于阴极金属16下方两侧；所述的第一P型阱区7内部设有第一P型埋层8，B管P+源区13和C管N+源区9设置在第一P型埋层8的上方。

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