恭喜夏普株式会社岩田升获国家专利权
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龙图腾网恭喜夏普株式会社申请的专利场致发光元件以及场致发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114391187B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980100150.0，技术领域涉及：H10K50/15；该发明授权场致发光元件以及场致发光装置是由岩田升;内海久幸;上田吉裕设计研发完成，并于2019-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本场致发光元件以及场致发光装置在说明书摘要公布了：一种场致发光元件XR，包括阳极22；阴极25；以及发光层，其设置于阳极22和阴极25之间，还包括：电子传输层33，其包含n型半导体颗粒36和第一绝缘性聚合物37；以及空穴传输层30，其包含p型半导体颗粒34，电子传输层33设置在阴极25与发光层之间，空穴传输层30设置于阳极22和发光层之间，电子传输层33中n型半导体颗粒36的体积比例小于空穴传输层30中p型半导体颗粒34的体积比例。
本发明授权场致发光元件以及场致发光装置在权利要求书中公布了：1.一种场致发光元件，包括：阳极；阴极；以及发光层，其设置于所述阳极和所述阴极之间，所述场致发光元件的特征在于，还包括：电子传输层，其包含n型半导体颗粒和第一绝缘性聚合物；以及空穴传输层，其包含p型半导体颗粒，所述电子传输层设置在所述阴极与所述发光层之间，所述空穴传输层设置于所述阳极和所述发光层之间，所述电子传输层中所述n型半导体颗粒的体积比例小于所述空穴传输层中所述p型半导体颗粒的体积比例，所述空穴传输层中所述p型半导体颗粒的体积比率为80%以上且99.9%以下。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人夏普株式会社，其通讯地址为：日本国大阪府堺市堺区匠町1番地；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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