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龙图腾网恭喜正泰新能科技股份有限公司申请的专利一种N型选择性发射极太阳能电池及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110098284B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910393610.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种N型选择性发射极太阳能电池及其制造方法是由陈周;单伟;何胜;周盛永;黄海燕;陆川设计研发完成，并于2019-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种N型选择性发射极太阳能电池及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种N型选择性发射极太阳能电池的制造方法，该制造方法包括：提供N型衬底，并在该N型衬底的表面形成绒面结构；对N型衬底的正面进行扩散以形成P++扩散层；去除N型衬底非电极区域内一定厚度的P++扩散层，以在N型衬底的电极区域内形成P++掺杂区以及在非电极区域内形成P+掺杂区；在N型衬底的背面形成N++掺杂层；在N型衬底的正面从下至上形成钝化层和第一减反射层、以及在N型衬底的背面形成第二减反射层；在N型衬底的正面和背面分别形成正面电极和背面电极，其中，正面电极透过第一减反射层和钝化层与P++掺杂区形成欧姆接触，背面电极透过第二减反射层与N++掺杂层形成欧姆接触。本发明还提供了一种N型选择性发射极太阳能电池。

本发明授权一种N型选择性发射极太阳能电池及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种N型选择性发射极太阳能电池的制造方法，该制造方法包括：提供N型衬底，并在该N型衬底的表面形成绒面结构；对所述N型衬底的正面进行扩散以形成P++扩散层；去除所述N型衬底非电极区域内一定厚度的所述P++扩散层，以在所述N型衬底的电极区域内形成P++掺杂区以及在所述非电极区域内形成P+掺杂区；在所述N型衬底的背面形成N++掺杂层；在所述N型衬底的正面从下至上形成钝化层和第一减反射层、以及在所述N型衬底的背面形成第二减反射层；在所述N型衬底的正面和背面分别形成正面电极和背面电极，其中，所述正面电极透过所述第一减反射层和所述钝化层与所述P++掺杂区形成欧姆接触，所述背面电极透过所述第二减反射层与所述N++掺杂层形成欧姆接触。

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