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龙图腾网恭喜南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种940nm LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767894B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510264897.7，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种940nm LED芯片及其制作方法是由陈宝;戴文;孙岩;余超;熊露;熊珊设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种940nm LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种940nmLED芯片及其制作方法。940nmLED芯片包括从下至上依次设置的背面电极、GaAs衬底、N‑AlGaAs扩展层、N‑AlGaAs限制层、多量子阱有源层、P‑AlGaAs限制层、P‑AlGaAs扩展层、GaAs欧姆接触层、ITO层和正面电极；所述GaAs欧姆接触层采用图案化结构，所述GaAs欧姆接触层包括GaAs空缺部和GaAs余留部，所述ITO层的下表面与所述GaAs欧姆接触层的结构相适配，使得ITO材料将所述GaAs空缺部填充，且所述GaAs余留部嵌入至所述ITO层中；所述GaAs余留部包括由内向外依次设置的GaAs中心岛、GaAs接触点阵和GaAs环形外围。通过该结构可以有效提高芯片的长期可靠性、稳定性和抗静电能力，并兼顾较高的发光效率。

本发明授权一种940nm LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种940nmLED芯片，其特征在于，包括从下至上依次设置的背面电极、GaAs衬底、N-AlGaAs扩展层、N-AlGaAs限制层、多量子阱有源层、P-AlGaAs限制层、P-AlGaAs扩展层、GaAs欧姆接触层、ITO层和正面电极；所述GaAs欧姆接触层采用图案化结构，所述GaAs欧姆接触层包括GaAs空缺部和GaAs余留部，所述ITO层的下表面与所述GaAs欧姆接触层的结构相适配，使得ITO材料将所述GaAs空缺部填充，且所述GaAs余留部嵌入至所述ITO层中；所述GaAs余留部包括由内向外依次设置的GaAs中心岛、GaAs接触点阵和GaAs环形外围；所述GaAs中心岛设置于所述正面电极的正下方，所述GaAs环形外围环绕设置所述GaAs中心岛外侧，且所述GaAs环形外围设置于所述芯片外沿，所述GaAs接触点阵包括若干个GaAs接触块点，若干个所述GaAs接触块点分布于所述GaAs中心岛和所述GaAs环形外围之间。

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