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龙图腾网恭喜上海陛通半导体能源科技股份有限公司申请的专利等离子体气相沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119640240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510182816.9，技术领域涉及：C23C16/505；该发明授权等离子体气相沉积设备是由刘祥;周东平;张晓设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子体气相沉积设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种等离子体气相沉积设备。设备包括沉积腔体、射频装置、晶圆承载装置及喷淋组件；晶圆承载装置具有电极以及承载晶圆的支撑面；喷淋组件底部设置有导电金属层，喷淋组件包括喷淋头，喷淋头包括中心区域及环设于中心区域周向的外围区域，外围区域对应设置于晶圆边缘上方，外围区域设置有喷淋孔，喷淋孔用于朝晶圆的包括侧面在内的非器件区域供应反应气流，喷淋头的中心区域对应设置于晶圆中心上方，且中心区域相较于外围区域向晶圆方向凸出，以使得中心区域与晶圆的直线距离小于外围区域与晶圆的直线距离，中心区域在外围区域供应反应气流的过程中不供应反应气流。本发明可对晶圆边缘区域进行精准的薄膜沉积，避免后续工艺缺陷。

本发明授权等离子体气相沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种等离子体气相沉积设备，其特征在于，所述等离子体气相沉积设备包括沉积腔体、射频装置、位于沉积腔体内的晶圆承载装置及位于沉积腔体上部的喷淋组件；所述晶圆承载装置具有电极以及承载晶圆的支撑面；所述喷淋组件底部设置有与射频装置电连接的导电金属层，喷淋组件包括喷淋头，所述喷淋头包括中心区域及环设于中心区域周向的外围区域，所述外围区域对应设置于晶圆边缘上方，外围区域设置有喷淋孔，喷淋孔用于朝晶圆的包括侧面在内的非器件区域供应反应气流，喷淋头的中心区域对应设置于晶圆中心上方，且中心区域相较于外围区域向晶圆方向凸出，以使得中心区域与晶圆的直线距离小于外围区域与晶圆的直线距离，中心区域在外围区域供应反应气流的过程中不供应反应气流；其中，喷淋头的中心区域和外围区域通过波纹管柔性连接，使得喷淋头的中心区域与晶圆的直线距离可调；喷淋孔的垂直高度可调。

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