恭喜中茵微电子(南京)有限公司王冬梅获国家专利权
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龙图腾网恭喜中茵微电子(南京)有限公司申请的专利一种用于LPDDR5的wck2ck leveling训练方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119626289B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510167811.9,技术领域涉及:G11C11/4076;该发明授权一种用于LPDDR5的wck2ck leveling训练方法及系统是由王冬梅;刘德启设计研发完成,并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于LPDDR5的wck2ck leveling训练方法及系统在说明书摘要公布了:本发明的目的是提供一种用于LPDDR5的wck2ckleveling训练方法及系统,该方法包括:在高频模式下,调整写时钟的延时线将写时钟的上升沿与差分时钟的上升沿对齐;在低频模式下,当写时钟经过tWCKENL_WR+tWCKPRE_Static时间之后开始切换,直至满足时序要求停止。本发明能够通过改变训练wck2ck的顺序和方法,实现在ca和cs训练完成之后就训练好wck2ck的fine和coarse,fine的时候使用快速定位加精准寻找的的方式,摆脱需要训练写数据的限制,在写数据通路没有训练的前提下训练好wck和ck的相位关系,提高了训练的效率,降低复杂度。
本发明授权一种用于LPDDR5的wck2ck leveling训练方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种用于LPDDR5的wck2ckleveling训练方法,其特征在于,包括:在高频模式下,调整写时钟的延时线将写时钟的上升沿与差分时钟的上升沿对齐;所述在高频模式下,调整写时钟的延时线将写时钟的上升沿与差分时钟的上升沿对齐包括:当写时钟的上升沿在差分时钟上升沿之前时,SDRAM内部用写时钟的上升沿采差分时钟得到0,并将0反馈到DQ上;delayline每次加5一直往后推写时钟,直到DQ的值由0跳变到1;将delayline每次减1往前回退写时钟,直到DQ由1到0的跳变;回填的delayline的值加1;当写时钟的上升沿在差分时钟上升沿之后时,SDRAM内部用写时钟的上升沿采差分时钟得到1,并将1反馈到DQ上;如果差分时钟:写时钟为1:4mode,将写时钟增大4UI,使写时钟的上升沿在差分时钟的上升沿之前;将delayline每次加5往后推写时钟,直到DQ的值由0跳变到1;将delayline每次减1往前回退写时钟,直到DQ由1到0跳变;回填的delayline的值加1;当写时钟的上升沿与差分时钟上升沿对齐时,SDRAM内部用写时钟的上升沿采差分时钟得到0,并将0反馈到DQ上;将delayline每次加5往后推写时钟,直到DQ的值由0跳变到1;将delayline每次减1往前回退写时钟,直到DQ由1到0跳变;回填的delayline的值加1;在低频模式下,当写时钟经过tWCKENL_WR+tWCKPRE_Static时间之后开始切换,直至满足时序要求停止。
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