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龙图腾网恭喜北京大学申请的专利存储器件及其制作方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584550B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510130707.2，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权存储器件及其制作方法、电子设备是由王宗巍;冀映彤;蔡一茂;张海粟;杨高琦;鲍霖;黄如设计研发完成，并于2025-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器件及其制作方法、电子设备在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储器件及其制作方法、电子设备，存储器件包括：存储单元，设于衬底上，存储单元沿垂直于衬底的方向间隔排列，存储单元包括选通晶体管和阻变器件；选通晶体管包括沿平行于衬底的第一方向延伸的水平半导体层，阻变器件包括水平半导体层以及沿第一方向远离水平半导体层依次设置的阻变层和电极层；源线，沿平行于衬底的第二方向延伸，沿垂直于衬底的第三方向间隔排列，沿第一方向，源线设于水平半导体层远离阻变层一侧；字线，沿第三方向设置与沿第三方向排列的选通晶体管的水平半导体层相交；位线，沿第三方向设置与沿第三方向排列的阻变器件的电极层连接。利用垂直于衬底的第三方向集成存储单元，提高了存储器件的集成密度。

本发明授权存储器件及其制作方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，其特征在于，包括：存储单元，设于衬底上，所述存储单元沿垂直于所述衬底的方向间隔排列，所述存储单元包括选通晶体管和阻变器件；所述选通晶体管包括沿平行于所述衬底的第一方向延伸的水平半导体层，所述阻变器件包括所述水平半导体层以及沿所述第一方向远离所述水平半导体层依次设置的阻变层和电极层；源线，沿平行于所述衬底的第二方向延伸，沿垂直于所述衬底的第三方向间隔排列，所述第一方向与所述第二方向相交，沿所述第一方向，所述源线设于所述水平半导体层远离所述阻变层一侧；字线，沿所述第三方向设置，所述字线与沿所述第三方向排列的所述选通晶体管的所述水平半导体层相交；位线，沿所述第三方向设置，所述位线与沿所述第三方向排列的所述阻变器件的所述电极层连接。

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