恭喜北京怀柔实验室魏晓光获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利半导体封装结构及其制造方法、功率器件、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584622B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510122678.5，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权半导体封装结构及其制造方法、功率器件、电子设备是由魏晓光;唐新灵;林仲康;郝炜;代安琪;高佳敏;王亮;杜玉杰;于克凡;王靖飞设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其制造方法、功率器件、电子设备在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体封装结构及其制造方法、功率器件、电子设备。所述半导体封装结构包括晶圆、第一压接组件和第二压接组件。第一压接组件包括位于晶圆第一侧且用于刚性压接晶圆的第一侧表面的阴极。第二压接组件包括位于晶圆第二侧且用于刚性压接晶圆的第二侧表面的阳极。其中，所述第二侧表面与所述第一侧表面相对。晶圆第一侧的热阻为第一热阻，晶圆第二侧的热阻为第二热阻；第一热阻和第二热阻的串联热阻与第一热阻和第二热阻的并联热阻的比值大于等于4.3。本公开有利于降低器件结壳热阻，以进一步提升器件散热效率及器件通流能力。
本发明授权半导体封装结构及其制造方法、功率器件、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：晶圆；第一压接组件，包括位于所述晶圆第一侧且用于刚性压接所述晶圆的第一侧表面的阴极；第二压接组件，包括位于所述晶圆第二侧且用于刚性压接所述晶圆的第二侧表面的阳极；其中，所述第二侧表面与所述第一侧表面相对；所述晶圆第一侧的热阻为第一热阻，所述晶圆第二侧的热阻为第二热阻；所述第一热阻和所述第二热阻的串联热阻与所述第一热阻和所述第二热阻的并联热阻的比值大于等于4.3；所述阴极和所述阳极中的一者厚度小于另一者厚度；其中，厚度小者与厚度大者的比值小于等于0.6。
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