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龙图腾网恭喜华东师范大学;上海临港华东师大先进技术研究院有限公司;上海华辂科技有限公司申请的专利一种应用于TEM原位实验芯片的温度场下电极制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119492981B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510080495.1，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种应用于TEM原位实验芯片的温度场下电极制备方法是由成岩;郑勇辉;辛天骄;王秀芳设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于TEM原位实验芯片的温度场下电极制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制备方法，包括：步骤S1、获取初始功能芯片，暴露初始功能芯片的核心工作单元，并至少在所述核心工作单元正上方沉积硬掩膜；步骤S2、基于沉积硬掩膜的核心工作单元的截面区域制备微型薄片，并将所述微型薄片转移到预设加工单元，刻蚀所述微型薄片；步骤S3、制备沉积电极，通过沉积电极进行电学回路连接；步骤S4、冷却所述刻蚀后的微型薄片，并在所述刻蚀后的微型薄片周围沉积保护层，完成制备。本发明提供的制备方法能够保证电极连接的电学性能，并避免芯片损坏。

本发明授权一种应用于TEM原位实验芯片的温度场下电极制备方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于TEM原位实验芯片的温度场下电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、获取初始功能芯片，暴露初始功能芯片的核心工作单元，并至少在所述核心工作单元正上方沉积硬掩模，所述初始功能芯片的核心工作单元至少包括第一电极；步骤S2、基于沉积硬掩模的核心工作单元的截面区域制备微型薄片，并将所述微型薄片转移到作为预设加工单元的原位实验芯片；所述预设加工单元包括通电加热电极区域和通电连通电极区域，所述微型薄片位于所述通电加热电极区域的正上方，刻蚀所述微型薄片以露出微型薄片的核心工作单元的纳米级第一电极；步骤S3、所述通电加热电极区域设有图案化的通电加热电极，通电加热电极用于提供温度场以对刻蚀后的微型薄片进行加热，以在所述通电加热电极区域上方形成沉积电极；所述通电连通电极区域设有通电连通电极，所述通电连通电极与刻蚀后的微型薄片的纳米级第一电极的引脚位置相对应，两者通过沉积电极进行电学回路连接；步骤S4、冷却所述刻蚀后的微型薄片，并在所述刻蚀后的微型薄片周围沉积保护层，完成制备；其中，所述初始功能芯片的核心工作单元的设置形式包括：存储单元、开关单元、计算单元中的任一个。

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