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龙图腾网恭喜广东匠芯创科技有限公司申请的专利缓存管理方法及其存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119512980B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510073117.0，技术领域涉及：G06F12/02；该发明授权缓存管理方法及其存储介质是由江澈;李明烽;原顺设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本缓存管理方法及其存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种缓存管理方法及其存储介质。其中，缓存管理方法的步骤包括：当响应于目标数据写入请求时，获取所述当前目标块的页信息，所述页信息表示所述当前目标块需要进行数据读写操作的页；根据页信息，执行对应的块操作，其中，页信息包括：当前目标块的最后一个页、当前目标块的首个页以及当前目标块的中间页，页信息包括与其对应的块操作逻辑，块操作逻辑用于指示执行对应的块操作。本申请中所公开的缓存管理方法通过获取页信息对当前目标块进行对应的块操作，能够实现实时动态地对NANDFlash存储器的块管理，考虑存储单元的损耗，合理安排存储单元擦除以及随机读取写入，从而提高NANDFlash存储器的耐用性和性能，提高数据读写操作的整体效率。

本发明授权缓存管理方法及其存储介质在权利要求书中公布了：1.一种缓存管理方法，其特征在于，包括：响应于目标数据写入请求，获取当前目标块的页信息，其中，所述页信息通过页使用情况确定，所述页信息表示所述当前目标块需要进行数据读写操作的页；根据所述页信息，执行对应的块操作；其中，所述页信息包括：当前目标块的最后一个页、当前目标块的首个页以及当前目标块的中间页，所述页信息包括与其对应的块操作逻辑，所述块操作逻辑用于指示执行对应的块操作;所述根据所述页信息，执行对应的块操作，包括：当所述页信息为所述当前目标块的最后一个页，将所述当前目标块添加至无效页链表；从所述无效页链表中寻找无效页和所述当前目标块总页数相等的替换块，将所述替换块添加至空闲链表，并从所述无效页链表中删除所述替换块；从所述空闲链表中获取目标物理块，所述目标物理块表示所述空闲链表中擦除数最小的物理块，根据所述目标物理块生成第一目标块，并将所述第一目标块的页信息标记为首个页；将所述第一目标块替换为所述当前目标块，并重新响应目标数据写入请求；当所述页信息为所述当前目标块的首个页时，对所述当前目标块进行擦除，获得第二目标块；将所述第二目标块作为替换为当前目标块；将目标数据写入所述当前目标块；当所述页信息为所述当前目标块的中间页时，将所述目标数据写入当前目标块。

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