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龙图腾网恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510067803.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法是由李昀佶;张长沙;施广彦;何佳设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长形成漂移层；通过对漂移层进行离子注入，形成低阻区、P型源区、P型阱区以及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层以及P型阱区，形成凹槽，氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有沟槽；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层至P型阱区上侧面，淀积金属层，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备，实现了器件栅极结构的紧凑设计，降低了器件栅极厚度，提高了器件的功率密度。

本发明授权一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长形成漂移层；步骤2、通过对漂移层进行离子注入，形成低阻区；步骤3、形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成P型源区；步骤4、去除步骤3的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成P型阱区；步骤5、去除步骤4的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向P型阱区进行离子注入，形成N型源区；步骤6、去除步骤5的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层以及P型阱区，形成凹槽，氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有沟槽；步骤7、去除步骤6的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；步骤8、去除步骤7的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层至P型阱区上侧面，淀积金属层，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备；所述低阻区下侧面连接至所述漂移层上侧面；所述P型源区下侧面连接至所述低阻区上侧面；所述P型阱区下侧面连接至所述低阻区上侧面，所述P型阱区外侧面连接至所述P型源区内侧面；所述源极金属层分别连接所述P型源区、P型阱区以及N型源区。

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