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龙图腾网恭喜江苏凯威特斯半导体科技有限公司申请的专利一种减少涂层缺陷并降低孔隙的涂层制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119411055B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510028311.7，技术领域涉及：C23C4/10；该发明授权一种减少涂层缺陷并降低孔隙的涂层制作方法是由薛弘宇;张牧;靳普云;李伟东;龚文凯;朱文健;徐钰虹;徐洋;陆琦;严汪学;桂传书设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减少涂层缺陷并降低孔隙的涂层制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及金属涂层材料技术领域，具体涉及一种减少涂层缺陷并降低孔隙的涂层制作方法。将氧化钇粉末与YAG粉末配合使用作为涂层材料，解决了单独喷涂YAG粉末在基体上时需要打底才能结合以及形成的YAG涂层中竖向细纹较多，偶有其他方向的纹和单独喷涂氧化钇粉末形成的氧化钇涂层中横向细纹较多，偶有其他方向的纹的问题，降低了涂层的孔隙率；所述氧化钇粉末采用沉淀法制备，通过加入分散剂，制得的氧化钇粉末颗粒尺寸小，粒度分布窄，松装密度大，流动性好，与YAG粉末混合后，具有良好的输送状态，避免出现氧化钇粉末熔化不充分同时YAG粉末过烧的现象，降低涂层缺陷。

本发明授权一种减少涂层缺陷并降低孔隙的涂层制作方法在权利要求书中公布了：1.一种减少涂层缺陷并降低孔隙的涂层制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、将2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸加入去离子水中，搅拌溶解后，加入碱液调节pH值为中性，继续搅拌后，加入聚乙烯吡咯烷酮，升温至设定温度，搅拌，加入过硫酸钾，反应，反应结束后，旋蒸，干燥，得到阴离子型聚乙烯吡咯烷酮；步骤二、将阴离子型聚乙烯吡咯烷酮加入乙醇中，加入碱液调节pH值为7.5-8.5，加入碘甲烷，反应，反应结束后，旋蒸，纯化，得到两性离子型分散剂；步骤三、将碳酸钠溶于去离子水中，得到沉淀剂溶液；将氯化钇、两性离子型分散剂溶于去离子水中，得到氯化钇料液；将沉淀剂溶液滴加到氯化钇料液中，滴加完毕后，静置陈化后，过滤，洗涤，煅烧，得到氧化钇粉末；其中，两性离子型分散剂的用量为氯化钇质量的0.005%-0.01%；步骤四、将氧化钇粉末和YAG粉末混合，得到混合粉料，采用等离子喷涂工艺将混合粉料喷涂于基体表面，形成减少涂层缺陷并降低孔隙的涂层。

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