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龙图腾网恭喜浙江中贝能源科技有限公司;中贝创新能源(东莞)有限公司申请的专利快速灭弧激励熔断器、电子电路及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119542090B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510024749.8，技术领域涉及：H01H85/38；该发明授权快速灭弧激励熔断器、电子电路及电子设备是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本快速灭弧激励熔断器、电子电路及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种快速灭弧激励熔断器、电子电路及电子设备，包括上壳体、下壳体和导电部件，上壳体和下壳体中设置有活塞部，下壳体中还设置有至少一个灭弧腔室，每个灭弧腔室均设置有灭弧介质；导电部件上设置有熔断部，导电部件穿设在上壳体和或下壳体中，且熔断部包裹在每个灭弧腔室的灭弧介质中；活塞部包括活动腔和冲击件，当熔断部发生熔断时，冲击件被触发并沿活动腔向导电部件冲击，以断开熔断部；在活动腔沿冲击件的冲击方向的一端设置有金属网部，金属网部在熔断部断开产生电弧、且电弧从灭弧腔室喷入活动腔时进行灭弧。这样，通过直接在活动腔的末端设置金属网部来将电弧分解，进而实现快速灭弧。

本发明授权快速灭弧激励熔断器、电子电路及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种快速灭弧激励熔断器，其特征在于，包括上壳体、下壳体和导电部件，所述上壳体和所述下壳体中设置有活塞部，所述下壳体中还设置有第一灭弧腔室和第二灭弧腔室，所述第一腔室设置在所述下壳体的第一侧，所述第二腔室设置在所述下壳体的第二侧，所述第一腔室和所述第二腔室之间设置有活动腔，具体为下活动腔；所述第一灭弧腔室和第二灭弧腔室的左、右两个侧壁上仅留有能使导电部件穿过的缝隙，所述导电部件从该缝隙依次穿过；所述第一灭弧腔室中的导电部件中包括第一熔断部，所述第二灭弧腔体中的导电部件中包括第二熔断部，所述第一熔断部和所述第二熔断部被设置为在电流大于预设值时熔断；第一灭弧腔室中填充有第一灭弧介质，所述第一灭弧介质将所述第一熔断部包裹；所述第二灭弧腔室中填充有第二灭弧介质，所述第二灭弧介质将所述第二熔断部包裹；所述活塞部包括活动腔和冲击件，当所述熔断部发生熔断时，所述冲击件被触发并沿所述活动腔向导电部件冲击，以断开所述熔断部；在所述活动腔沿所述冲击件的冲击方向的一端设置有金属网部，所述金属网部在所述熔断部断开产生电弧、且所述电弧从所述灭弧腔室喷入所述活动腔时进行灭弧；所述金属网部包括层叠设置的至少三层灭弧网，每层灭弧网中分布设置有灭弧网孔；金属网部包括按照预设规则排列的孔道；其中，所述孔道为纵向排列，或者所述孔道为横向排列，或者所述孔道为无序排列；横向排列是在所述每层灭弧网之上布设条状的孔道，即网孔横向延伸成条状；纵向排列是指网孔的孔道向相邻的灭弧网延伸成竖状；所述金属网部还包括至少一个支撑连接部和灭弧层；每个支撑连接部均设置在两层相邻的灭弧网之间，分别与所述两层相邻的灭弧网连接；每个灭弧层均设置在两层相邻的灭弧网之间；所述灭弧层包括液态硅胶、聚酰胺树脂、硅酮胶树脂、有机硅树脂中的一种或多种；所述第一熔断部包括第一抗拉薄弱点、第一熔断薄弱点和第二熔断薄弱点，第二熔断部包括第二抗拉薄弱点、第三熔断薄弱点和第四熔断薄弱点；当异常发生时，所述第一抗拉薄弱点、所述第一熔断薄弱点和所述第二熔断薄弱点中有至少一处断裂，所述第二抗拉薄弱点、所述第三熔断薄弱点和所述第四熔断薄弱点中有至少一处断裂，使得所述导电部件断裂，断裂导体随着所述冲击件的向下运动而被快速向下拉扯，直至到达金属网部；所述冲击件上开设有灭弧喷射腔，所述灭弧喷射腔为穿透腔，所述灭弧喷射腔中设置有第一封口层和第二封口层，所述灭弧喷射腔中填充有第三灭弧介质，当冲击件被触发时，所述第一封口层被高压气体推动冲破，进而使得高压气体推动所述第三灭弧介质将第二封口层冲破，以使所述第三灭弧介质从所述灭弧喷射腔中喷射而出，以使得所述第三灭弧介质对活动腔中进行灭弧；在所述第一灭弧腔室与穿过所述第一灭弧腔室的所述导电部件平行的两侧分别设置具有磁性的第一子吹弧层和第二子吹弧层，在所述第二灭弧腔室与穿过所述第二灭弧腔室的所述导电部件平行的两侧分别设置具有磁性的第三子吹弧层和第四子吹弧层；其中，所述第一子吹弧层和所述第三子吹弧层之间的极性相反，所述第二子吹弧层和所述第四子吹弧层之间的极性相反，以在第一灭弧腔室和第二灭弧腔室内形成磁场；当第一灭弧腔室和第二灭弧腔室内产生电弧时，所述磁场对电弧产生磁吹灭弧效果，以加快所述第一灭弧腔室和所述第二灭弧腔室内的灭弧速度；在所述第一子吹弧层和所述第二子吹弧层与所述第一灭弧腔室相背的一面分别设置第一屏蔽层和第二屏蔽层，以及在所述第三子吹弧层和所述第四子吹弧层与所述第二灭弧腔室相背的一面分别设置第三屏蔽层和第四屏蔽层，以防止所述第一子吹弧层、所述第二子吹弧层、所述第三子吹弧层和所述第四子吹弧层产生的磁场对周围环境产生影响。

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