买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜北京大学申请的专利存储单元、数据读写电路、存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119418735B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510018855.5，技术领域涉及：G11C7/10；该发明授权存储单元、数据读写电路、存储器及其制备方法是由蔡一茂;张海粟;王宗巍;鲍霖;王翠梅;黄如设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储单元、数据读写电路、存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储单元、数据读写电路、存储器及其制备方法，涉及集成电路设计及制造技术领域，存储单元包括沿第一方向延伸的水平半导体层，及位于水平半导体层上的沿第一方向依次排布的写位线、写晶体管、读晶体管、读字线；写位线、读字线沿与第一方向相交的第二方向延伸；读晶体管沿垂直于第一方向、第二方向的第三方向延伸并贯穿水平半导体层，源线、读晶体管、读位线沿第三方向排布。至少能够在降低单层存储单元面积开销的同时，支持多层堆叠存储单元同时进行光刻。

本发明授权存储单元、数据读写电路、存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上包括叠层，所述叠层包括沿背离所述衬底的方向依次交替层叠的牺牲层、半导体材料层，所述叠层内包括以第一方向为行方向、以第二方向为列方向，阵列排布的多个暴露出部分衬底的第一凹槽；形成填满所述第一凹槽并覆盖所述叠层的顶层半导体材料层顶面的隔离层；于所述叠层内形成暴露出部分所述衬底及部分所述半导体材料层的第一通孔，所述第一通孔用于限定写晶体管；经由所述第一通孔于每层所述半导体材料层内形成环绕部分所述半导体材料层的写晶体管后，形成填满所述第一通孔的写字线；于所述叠层内形成暴露出部分所述衬底的第二凹槽，所述第二凹槽用于限定读晶体管；于所述第二凹槽的内侧壁形成垂直栅介质层后，形成填满所述第二凹槽的垂直半导体层，沿第二方向延伸的部分半导体材料层用于构成写位线，沿所述第二方向延伸的部分半导体材料层用于构成读字线，所述垂直栅介质层、所述垂直半导体层用于共同构成所述读晶体管，以得到沿第一方向依次排布的所述写位线、所述写晶体管、所述读晶体管、所述读字线；沿所述第一方向延伸的部分半导体材料层用于构成水平半导体层；所述第一方向、所述第二方向相交。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京大学，其通讯地址为：100871 北京市海淀区颐和园路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。