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龙图腾网恭喜上海川土微电子有限公司申请的专利CAN总线中波形对称性优化电路及优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119402312B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411507643.5，技术领域涉及：H04L12/40；该发明授权CAN总线中波形对称性优化电路及优化方法是由张识博;陈东坡设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本CAN总线中波形对称性优化电路及优化方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种CAN总线中波形对称性优化电路，应用于集成电路技术领域，其中，在第一LDMOS管的N型埋层和漏极之间串接电阻，在该优化电路有电流流过第一LDMOS管的背栅到N型埋层的二极管，则电流流过串接的电阻以将第一LDMOS管的N型埋层电位抬高，使电流通过第一LDMOS管的背栅到漏极的二极管，以减小第一LDMOS管的背栅到N型埋层的二极管导通到P型衬底的寄生PNP漏电，抑制第一LDMOS管的背栅到N型埋层的二极管导通到P型衬底的寄生PNP漏电，降低出现闭眼掉坑凹陷的概率，优化CAN总线中波形对称性，且降低了辐射和提高了通信可靠性。

本发明授权CAN总线中波形对称性优化电路及优化方法在权利要求书中公布了：1.一种CAN总线中波形对称性优化电路，其特征在于，包括多个LDMOS管；多个LDMOS管包括第一LDMOS管和第二LDMOS管；CAN总线包括高电平信号线CANH和低电平信号线CANL；第一LDMOS管连接到高电平信号线CANH；第二LDMOS管连接到低电平信号线CANL；其中，在第一LDMOS管的N型埋层和漏极之间串接电阻，以抑制第一LDMOS管的背栅到N型埋层的二极管导通时到P型衬底的寄生PNP漏电，优化CAN总线中波形对称性；第一LDMOS管包括第一N沟道LDMOS管NLD1，第二LDMOS管包括第二N沟道LDMOS管NLD2；多个LDMOS管还包括第一P沟道LDMOS管PLD1和第二P沟道LDMOS管PLD2；所述第一N沟道LDMOS管NLD1通过第一P沟道LDMOS管PLD1连接到高电平信号线CANH；所述第二N沟道LDMOS管NLD2通过第二P沟道LDMOS管PLD2连接到低电平信号线CANL，以使该优化电路形成对称电路结构；所述第一N沟道LDMOS管NLD1的栅极连接供电电压端VCC，所述第一N沟道LDMOS管NLD1的漏极还连接第一P沟道LDMOS管PLD1的源极；所述第一P沟道LDMOS管PLD1的栅极接地，且第一P沟道LDMOS管PLD1的漏极连接高电平信号线CANH；所述第二N沟道LDMOS管NLD2的栅极连接供电电压端VCC，所述第二N沟道LDMOS管NLD2的漏极连接第二P沟道LDMOS管PLD2的源极；所述第二P沟道LDMOS管PLD2的栅极接地，且所述第二P沟道LDMOS管PLD2的漏极连接低电平信号线CANL。

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