恭喜荣芯半导体(淮安)有限公司高俊九获国家专利权
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龙图腾网恭喜荣芯半导体(淮安)有限公司申请的专利一种测试结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119181695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411255990.3，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种测试结构及其制备方法是由高俊九;李志伟设计研发完成，并于2024-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种测试结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种测试结构及其制备方法，所述测试结构包括沟槽电容和测试层，所述沟槽电容包括由下至上依次设置的下极板、电容介质层和上极板，所述沟槽电容包括至少两个沟槽区域，所述测试层与所述沟槽电容的下极板相连接，所述测试层包括与所述沟槽电容的沟槽区域一一对应设置的测试单元，所述测试单元分隔设置，所述测试单元分别引出四端测试法的端口。根据本发明提供的测试结构及其制备方法，通过使分隔设置的测试单元之间经由所述沟槽电容的下极板构成用于四端测试法的测试通路，从而实现沟槽电容的下极板在沟槽区域处的接触电阻的监控，帮助工程师更快、更准确的发现导致沟槽电容失效的原因，便于进行相应改善。
本发明授权一种测试结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种测试结构，其特征在于，包括：沟槽电容，所述沟槽电容包括由下至上依次设置的下极板、电容介质层和上极板，所述沟槽电容包括至少两个沟槽区域；测试层，所述测试层与所述沟槽电容的下极板相连接，所述测试层包括与所述沟槽电容的沟槽区域一一对应设置的测试单元，所述测试单元分隔设置；其中，所述测试单元分别引出四端测试法的端口；所述四端测试法的端口包括两个加载端和两个感测端，所述两个加载端分别由不同的测试单元引出，所述两个感测端分别由不同的测试单元引出；所述测试结构用于测试所述沟槽电容的下极板在所述沟槽区域处的接触电阻；所述分隔设置的测试单元之间经由所述沟槽电容的下极板构成测试通路。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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