通威微电子有限公司雷裕获国家专利权
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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利一种碳化硅晶片的缺陷检测装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222866569U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421307218.7，技术领域涉及：G01N21/95；该实用新型一种碳化硅晶片的缺陷检测装置是由雷裕;周磊;周杰;田涵文设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅晶片的缺陷检测装置在说明书摘要公布了：本实用新型实施例提供了一种碳化硅晶片的缺陷检测装置，涉及碳化硅检测设备技术领域。缺陷检测装置包括第一固定台及静电发生器。第一固定台用于放置待测碳化硅晶片，静电发生器位于第一固定台外侧，以使放置于第一固定台上的待测碳化硅晶片上的至少部分尘埃悬浮，由于静电发生器能够使得碳化硅晶片上的至少部分尘埃悬浮，因此，当CCD模组对碳化硅晶片的表面进行检测时，能够减少晶体表面的尘埃对检测的干扰，能够便于CCD模组更准确的检测出碳化硅晶片表面的缺陷，提高了对碳化硅晶片表面缺陷检测的准确度。
本实用新型一种碳化硅晶片的缺陷检测装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶片的缺陷检测装置，其特征在于，包括：第一固定台100，所述第一固定台100用于放置待测碳化硅晶片；静电发生器200，所述静电发生器200位于所述第一固定台100外侧，以使放置于所述第一固定台100上待测碳化硅晶片上的至少部分尘埃悬浮。
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