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龙图腾网恭喜深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利氮化镓高电子迁移率晶体管外延晶圆及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117198879B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311266531.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权氮化镓高电子迁移率晶体管外延晶圆及其制备方法是由李海滨;樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2023-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化镓高电子迁移率晶体管外延晶圆及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种氮化镓高电子迁移率晶体管外延晶圆及其制备方法，该方法包括：在衬底上，依次外延生长一层InGaN或n+GaN牺牲层和一层GaNHEMT外延层；以InGaN或n+GaN牺牲层和GaNHEMT外延层为一个整体，在衬底上进行多次重复外延生长，最终在衬底上形成具有多个重复叠层的第一外延结构；在第一外延结构的外边缘沉积介质层；将第一外延结构和介质层作为第一GaNHEMT外延晶圆。可见，第一GaNHEMT外延晶圆可以达到一次生长且多次使用的效果，以便做出成几倍数量的GaNHEMT器件出来，从而有利于大幅降低GaNHEMT器件产品的成本。

本发明授权氮化镓高电子迁移率晶体管外延晶圆及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓高电子迁移率晶体管外延晶圆制备方法，其特征在于，包括：在衬底上，依次外延生长一层氮化铟镓InGaN或高掺杂浓度的N型氮化镓n+GaN牺牲层和一层氮化镓高电子迁移率晶体管GaNHEMT外延层，所述InGaN或n+GaN牺牲层用于GaNHEMT外延剥离；以所述InGaN或n+GaN牺牲层和所述GaNHEMT外延层为一个整体，在所述衬底上进行多次重复外延生长，最终在所述衬底上形成具有多个重复叠层的第一外延结构；在所述第一外延结构的外边缘沉积介质层，所述介质层用于避免在当前外延剥离腐蚀时腐蚀更下层的所述InGaN或n+GaN牺牲层；将所述第一外延结构和所述介质层作为第一GaNHEMT外延晶圆；其中，所述第一GaNHEMT外延晶圆用于按照从最上层往最下层的顺序依次使用每个所述GaNHEMT外延层来制备GaNHEMT器件，再使用所述InGaN或n+GaN牺牲层来进行外延剥离，直到所有所述GaNHEMT外延层使用并剥离完毕，最后回收所述衬底；使用所述第一GaNHEMT外延晶圆中的当前GaNHEMT外延层制备当前GaNHEMT器件，并在制备所述当前GaNHEMT器件的金属线接触引线焊盘工艺中的涂胶工艺不做去边处理以保护所述介质层；在完成所述当前GaNHEMT器件的正面工艺之后，在所述当前GaNHEMT外延层上形成当前器件结构层，所述当前GaNHEMT器件是由所述当前GaNHEMT外延层和所述当前器件结构层所组成的；采用刻蚀工艺刻蚀所述当前器件结构层和所述当前GaNHEMT外延层以露出当前InGaN或n+GaN牺牲层，所述当前InGaN或n+GaN牺牲层在所述第一GaNHEMT外延晶圆中处于所述当前GaNHEMT外延层的下一层；采用腐蚀工艺去除所述当前InGaN或n+GaN牺牲层，使得所述当前器件结构层和所述当前GaNHEMT外延层从所述第一GaNHEMT外延晶圆上剥离。

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