恭喜西南科技大学;中国工程物理研究院激光聚变研究中心何洪途获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜西南科技大学;中国工程物理研究院激光聚变研究中心申请的专利一种提升熔石英元件激光损伤阈值的表面处理工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116462419B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310510196.8，技术领域涉及：C03C15/00；该发明授权一种提升熔石英元件激光损伤阈值的表面处理工艺是由何洪途;孙来喜;郑天然;余家欣;刘新祺;邹蕊矫;王方;李青山设计研发完成，并于2023-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升熔石英元件激光损伤阈值的表面处理工艺在说明书摘要公布了：本发明提供了一种提升熔石英元件激光损伤阈值的表面处理工艺，通过高温退火处理实现亚表面缺陷层不同程度地缩小和愈合，然后利用H2O2浅度刻蚀在较少的材料去除量的情况下去除亚表面缺陷层，以达到提升激光损伤阈值的目的。本发明提供了一种更加经济、清洁、环保和安全的熔石英元件表面处理技术，可有效提升熔石英光学元件的激光损伤阈值，为高质量熔石英元件的在激光惯性核聚变领域的工程应用提供重要技术保障。
本发明授权一种提升熔石英元件激光损伤阈值的表面处理工艺在权利要求书中公布了：1.一种提升熔石英元件激光损伤阈值的表面处理工艺，包括以下步骤：S1：对熔石英元件进行高温退火处理；S2：对经过S1处理的熔石英元件依次使用无水乙醇和去离子水进行超声清洗后，用去离子水冲洗熔石英元件的表面，再使用干燥氮气吹干后待用；S3：对经过S2处理的熔石英元件进行H2O2刻蚀处理，将经过S2处理的熔石英元件放入到H2O2溶液中密封腐蚀，期间采用超声波和升温辅助刻蚀；所述S1中，高温退火的温度为400℃~1100℃；高温退火的时长为2～12h；退火腔内氛围为干燥空气、氮气中的任一种；所述S3中，H2O2溶液中双氧水的浓度为3wt%~30wt%；H2O2刻蚀处理采用熔石英元件的时间为1h~12h；H2O2刻蚀过程中超声辅助的频率为20kHz~135kHz，辅助升温至20℃~100℃。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西南科技大学;中国工程物理研究院激光聚变研究中心，其通讯地址为：621010 四川省绵阳市涪城区青龙大道中段59号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号