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龙图腾网恭喜安徽中核桐源科技有限公司申请的专利一种逐级精馏提高¹³C同位素丰度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116550144B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310424333.6，技术领域涉及：B01D59/04；该发明授权一种逐级精馏提高¹³C同位素丰度的方法是由吴希;刘振兴;阮皓;熊伟;喻海波;徐鹏飞;姚佳伟;叶一鸣设计研发完成，并于2023-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种逐级精馏提高¹³C同位素丰度的方法在说明书摘要公布了：本发明属于同位素技术领域，提供了一种逐级精馏提高13C同位素丰度的方法，解决了同位素产品生产能力低下的问题。该方法将原料CO进行除杂处理得到中间气；将中间气顺次进行一级精馏、二级精馏、扰频重组、低温除杂、三级精馏和四级精馏，完成处理。通过对原料CO进行除杂，去除原料气中大部分杂质，能满足工业上的要求；然后经过一级精馏和二级精馏得到了富含13C成分的气体，将气体进行扰频重组，产生更多的13C16O的组分；通过下一步的低温除杂得到高丰度13C同位素气体；经过后续的两级精馏进一步提高丰度得到最终产物。本发明提供的方法工艺简便，能高效得到丰度达到99.999％的13C气体，具有很好的应用前景。

本发明授权一种逐级精馏提高¹³C同位素丰度的方法在权利要求书中公布了：1.一种逐级精馏提高13C同位素丰度的方法，其特征在于，包含下列步骤：（1）将原料CO进行除杂处理，得到中间气；（2）将中间气顺次进行一级精馏、二级精馏、扰频重组、低温除杂、三级精馏和四级精馏，完成处理；步骤（1）中所述除杂处理为顺次进行的低温除杂、常温吸附、重质除杂、轻质除杂和二级低温除杂；步骤（1）中所述低温除杂的压力为280~320psia，温度为180~190K；所述常温吸附的压力为200~220psia，温度为270~280K；所述重质除杂的压力为200~220psia，温度为110~120K，气体流速为4~5kgh；所述轻质除杂的压力为110~120psia，温度为100~120K，气体流速为3~4kgh；所述二级低温除杂的压力为280~320psia，温度为180~190K；步骤（2）中所述一级精馏的塔顶温度为90~95K，塔顶压强为19~20psia，塔中温度为170~190K，塔中压强为36~37psia，塔底温度为295~305K，塔底压强为41~42psia，气体流量为290~300gh；步骤（2）中所述二级精馏的塔顶温度为90~95K，塔顶压强为20~21psia，塔中温度为140~160K，塔中压强为32.5~33.5psia，塔底温度为140~160K，塔底压强为41~42psia，气体流量为70~75gh；步骤（2）中所述扰频重组的温度为350~750℃，气体流速为25~26KgHr；步骤（2）中所述低温除杂的压力为250~260psia，温度为200~210K，气体流速为6~6.1KgHr；步骤（2）中所述三级精馏的塔顶温度为90~100K，塔顶压强为35~36psia，塔中温度为165~170K，塔中压强为50~55psia，塔底温度为145~155K，塔底压强为62~63psia，气体流量为35~40gh；步骤（2）中所述四级精馏的塔顶温度为100~105K，塔顶压强为23.5~24.5psia，塔中温度为135~140K，塔中压强为24.5~25psia，塔底温度为190~195K，塔底压强为31.5~32psia，气体流量为20~30gh。

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