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龙图腾网恭喜新疆未来双碳能源有限公司申请的专利一种硅异质结太阳电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116259688B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211428408.X，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权一种硅异质结太阳电池的制备方法是由薛彦斌;王强;王步峰;陈斌;谭闻钧;安艳龙设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅异质结太阳电池的制备方法在说明书摘要公布了：一种硅异质结太阳电池的制备方法，PECVD化学沉积过程中①将二氧化碳形成含氧活性基团能的等离子体，在硅片表面形成钝化硅片表面悬挂键的氧化层；②对已钝化硅片表面悬挂键的硅片在低氢稀释比的气体氛围下继续沉积，为界面钝化提供丰富的氢；③使用氩等离子体对硅片进行轰击，使非晶硅内的硅‑硅或者硅‑氢弱键断裂重组，使自由氢原子向界面扩散与硅片表面的悬挂键结合，降低界面缺陷密度，提高光敏性；④在高氢稀释比的气体氛围下，引入二氧化碳作为氧源继续沉积，增加非晶硅的禁带宽度，降低寄生光吸收，提高太阳电池的光生电流密度，可以有效降低本征非晶硅的寄生光吸收问题，从而解决异质结太阳电池的光生电流降低问题。

本发明授权一种硅异质结太阳电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅异质结太阳电池的制备方法，对双面制绒的硅片进行PECVD化学沉积法进行沉积，其特征在于沉积过程中依次使用以下方法：①将二氧化碳形成含氧活性基团能的等离子体，在硅片表面形成钝化硅片表面悬挂键的氧化层；②对已钝化硅片表面悬挂键的硅片在SiH4和H2流量比为1:0-1:3的低氢稀释比的气体氛围下继续沉积，为界面钝化提供丰富的氢；③使用氩等离子体对硅片进行轰击，使非晶硅内的硅-硅或者硅-氢弱键断裂重组，使自由氢原子向界面扩散与硅片表面的悬挂键结合，降低界面缺陷密度，提高光敏性；④在SiH4和H2流量比为1:5-1:30的高氢稀释比的气体氛围下，引入二氧化碳作为氧源继续沉积，增加非晶硅的禁带宽度，降低寄生光吸收，提高太阳电池的光生电流密度，在步骤④后，⑤在SiH4和H2流量比为1:10-1:50的较高氢稀释比的气体氛围下继续沉积，降低与掺杂非晶硅的接触电阻。

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