恭喜上海麦锴科技有限公司武震宇获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海麦锴科技有限公司申请的专利半导体基底结构及器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093050B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211104825.9，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体基底结构及器件是由武震宇;王栎皓;苏泳全;刘艺晨设计研发完成，并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体基底结构及器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体基底结构及器件，包括衬底、导电柱、横向绝缘层和竖向绝缘层，通过导电柱可以实现垂直电学导通，通过横向绝缘层及竖向绝缘层可实现电学绝缘；本发明的半导体基底结构可实现3D互联，具有工艺兼容性强、设计灵活、适于高温工艺等优点，可作为集成电路器件的基底结构，以实现电路元件结构间的隔离、减少晶体管间或引线间的寄生电容，增强器件的抗辐照能力；也可用于MEMS器件的设计，实现器件的电学引出，简化器件的封装结构，增强器件的阵列化能力；亦可用于例如CMOS‑MEMS单片集成器件，提高器件集成度、减少IC电路和MEMS器件之间的串扰，提高衬底利用率。
本发明授权半导体基底结构及器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体基底结构，其特征在于，所述半导体基底结构包括：衬底，所述衬底包括第一面及相对的第二面；导电柱，所述导电柱自所述衬底的第一面贯穿至所述衬底的第二面；横向绝缘层，所述横向绝缘层位于所述衬底中，沿所述衬底的横向间隔排布或连续排布，通过所述横向绝缘层实现位于所述衬底上下表面的元件结构的隔离，且可定义所述横向绝缘层至所述衬底的上下表面的距离；竖向绝缘层，所述竖向绝缘层位于所述衬底中，沿所述衬底的竖向间隔排布，自所述衬底的第一面贯穿至所述衬底的第二面并位于所述导电柱的外围，且所述竖向绝缘层与所述横向绝缘层之间具有间距。
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