买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210938351.1，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法是由吴祥;李卫民设计研发完成，并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法，湿法蚀刻设备包括蚀刻腔室及吸附模块，吸附模块的一端与蚀刻腔室的排液口相连通和或吸附模块设置于蚀刻腔室内，蚀刻腔室用于基板上氧化硅、硅或氮化硅的湿法蚀刻，吸附模块设置有用于吸附蚀刻产物硅化合物的吸附物质，蚀刻腔室中的氧化硅、硅或氮化硅材料蚀刻过程中的蚀刻液流经吸附模块，蚀刻产物硅化合物被吸附模块吸附去除，从而实现蚀刻液的再生。本发明的湿法蚀刻设备，在蚀刻液的循环路径上设置可吸附硅化合物的吸附模块，可以有效延长蚀刻液的使用寿命，降低使用成本及减少因蚀刻液的废液排放带来的环境污染，且可降低更换蚀刻液的频率，有助于提高生产效率。

本发明授权湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种湿法蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻设备包括蚀刻腔室及吸附模块，所述吸附模块的一端经一循环管路与所述蚀刻腔室的排液口相连通；另一端与所述蚀刻腔室的进液口相连通；其中，所述循环管路包含一阀、一管段A及一管段B，所述吸附模块设置于所述管段B，并通过所述阀控制蚀刻液流向所述管段A或所述管段B；所述蚀刻腔室收容待处理的基板和所述蚀刻液，且所述蚀刻液与所述基板相接触以蚀刻所述基板上的材料，并产生蚀刻产物硅化合物，其中，所述基板上的所述材料包括硅、氧化硅和氮化硅中的任一种或组合；所述吸附模块设置有吸附剂，所述蚀刻腔室中的蚀刻液进入所述吸附模块，蚀刻产物硅化合物被所述吸附模块中的所述吸附剂所去除；其中，所述吸附剂为固体化学吸附剂，装载于所述吸附模块中，包括离子交换树脂、氧化铝、氧化锆、氧化钛、氧化硅及有机硅化合物中的任意一种或多种经表面基团改性后的物质，其中，基团改性是指采用包括磺酸基、羧基、环己基、三甲基氨丙基、苯磺酸丙基、乙二胺-N-丙基中的一种或多种进行改性。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所，其通讯地址为：200050 上海市长宁区长宁路865号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。