恭喜浙江大学吴昂键获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利等离子改性的多尺度缺陷铜镍电催化剂制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115287681B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210868945.X，技术领域涉及：C25B1/27；该发明授权等离子改性的多尺度缺陷铜镍电催化剂制备方法及其应用是由吴昂键;吕嘉葆;林晓青;彭亚旗;吴浩斌;张浩;孙威;李晓东;严建华设计研发完成，并于2022-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子改性的多尺度缺陷铜镍电催化剂制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种等离子改性的多尺度缺陷铜镍电催化剂制备方法及其应用。对传统电催化剂载体商业泡沫进行电沉积处理，制得泡沫铜负载的氧化镍催化剂NiO@Cufoam，接着进行低温等离子体改性形成表面多尺度缺陷结构的泡沫铜负载氧化镍催化剂NTP‑NiO@Cu作为电催化的阴极电极材料。该方法简单快捷，参数易于调控，经济性好，且具有良好的电催化硝酸根还原合成氨性能。在酸碱解耦的电催化硝酸根还原合成氨体系内，与传统的催化剂或电催化体系相比，具有更好的电化学性能与合成氨速率、选择性。
本发明授权等离子改性的多尺度缺陷铜镍电催化剂制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种等离子改性的多尺度缺陷铜镍电催化剂制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）用强酸溶液对泡沫铜材料进行浸洗，去除表面氧化物杂质后用去离子水冲洗，真空中烘干制得电催化剂的泡沫铜载体备用；2）将步骤1）中制得的纯净泡沫铜载体，在三电极体系下用伏安循环电沉积方法制备氧化镍负载的泡沫铜催化剂前驱体；3）将步骤2）制得的氧化镍负载的泡沫铜催化剂前驱体放置于低温等离子体发生器中，所述的低温等离子体发生器为介质阻挡等离子体DBD、射频电感耦合等离子体ICP或滑动弧射流等离子体，气源为Ar，等离子体工作功率为100-300W，等离子体发生时间在3min-5min；将低温等离子体发生器中的环境抽真空后进行氩气等离子体轰击，在氧化镍负载的泡沫铜催化剂前驱体表面形成多缺陷结构，制得多尺度缺陷铜镍电催化剂。
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