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龙图腾网恭喜大连理工大学申请的专利一种同时具有高低增益和对数响应的高动态CMOS图像传感器及时序控制方法和读取方式获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115134541B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210699481.4，技术领域涉及：H04N25/57；该发明授权一种同时具有高低增益和对数响应的高动态CMOS图像传感器及时序控制方法和读取方式是由常玉春;娄珊珊;曲杨;钟国强;程禹;张为森;孔祥和;孙汉蔚;周义喆;李技烨;牛仕泽设计研发完成，并于2022-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种同时具有高低增益和对数响应的高动态CMOS图像传感器及时序控制方法和读取方式在说明书摘要公布了：一种同时具有高低增益和对数响应的高动态CMOS图像传感器及时序控制方法和读取方式，属于半导体光电方向图像传感器领域。本发明利用了在不同光强下电荷补偿元件分别工作在截止区和亚阈值区的原理：弱光和强光下电荷补偿元件处于截止区，无导通电流，此时本发明的像素结构与具有高低增益结构的高动态像素技术功能相同，因此在弱光下具有很强的探测能力；在超强光或者长积分时间下电荷补偿元件工作在亚阈值区，利用亚阈值区晶体管电流电压为对数关系的特性实现对过溢光生电荷的补偿，因此可在超高光强下成像。本发明在一次曝光下可以获得多幅相同积分时间的图像，对应弱光、强光和超强光，多幅图像即可合成一幅具有超高动态范围的图像。

本发明授权一种同时具有高低增益和对数响应的高动态CMOS图像传感器及时序控制方法和读取方式在权利要求书中公布了：1.一种同时具有高低增益和对数响应的高动态CMOS图像传感器，其特征在于，像素结构包括钳位光电二极管（1）、电荷转移控制晶体管（2）、电荷补偿元件（9）、源极跟随器（5）和行选晶体管（6）；钳位光电二极管（1）作为光电探测元件，能够把接收的光信号转换为电信号并积累光生电荷，钳位光电二极管（1）的P端接GND，N端接电荷转移控制晶体管（2）的源极；电荷转移控制晶体管（2）用于将钳位光电二极管（1）中积累的光生电荷转移到FD点，电荷转移控制晶体管（2）的栅极的控制信号TX来自于图像传感器系统中的行控制模块，漏极连接到FD点；电荷补偿元件（9）包括新型复位晶体管（7）、新型高动态范围晶体管（8），其中新型复位晶体管（7）的漏极接Vpix电位，源极连接到新型高动态范围晶体管（8）的漏极，新型高动态范围晶体管（8）的源极连接到FD点；新型复位晶体管（7）和新型高动态范围晶体管（8）共同构成的电荷补偿元件（9）的栅极控制信号RST和HDR来自于行控制模块，该元件弱光和强光下工作在截止区，超强光或者超长积分时间时工作在亚阈值区，以此来增加图像传感器的动态范围；源极跟随器（5）和行选晶体管（6）用于将像素信号输出到后续读出电路，源极跟随器（5）的栅极与FD点相连，漏极接至VDD，源极与行选晶体管（6）的漏极相连；行选晶体管（6）的栅端的控制信号SEL来自于行控制模块，源极与列总线相连，用于将像素的信号值输出到图像传感器系统的后续读出电路中；所述的电荷转移控制晶体管（2）、源极跟随器（5）和行选晶体管（6）均采用标准NMOS晶体管工艺制造而成；所述的新型复位晶体管（7）、新型高动态范围晶体管（8）是在标准工艺基础上进行了一次额外的离子注入，用来调整晶体管的阈值电压，使其阈值电压低于正常值，故二者共同构成了所述的电荷补偿元件（9）；该元件在超强光下或者长时间积分时工作在亚阈值区域，向FD点注入电荷补偿钳位光电二极管（1）溢出到FD点的光生电荷，避免因钳位光电二极管（1）达到满阱而导致的信号饱和；利用亚阈值区晶体管电流电压为对数关系的特性，从而在弱光和强光的线性响应基础上获得对数响应，极大的扩展了图像传感器的动态范围。

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