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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种开关器件及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203901B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111512058.0，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种开关器件及存储器是由朱敏;宋志棠;沈佳斌;贾淑静设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种开关器件及存储器在说明书摘要公布了：本发明提供一种开关器件及存储器，该开关器件包括下电极、上电极及夹设于下电极与上电极之间的开关材料层，其中：开关材料层包括Te、Se和S中的至少一种元素；开关器件处于开启状态时，开关材料层呈液态，且禁带宽度为0；开关器件处于关闭状态时，开关材料层呈结晶态，且开关材料层与上电极之间形成肖特基势垒，开关材料层与下电极之间形成肖特基势垒。本发明的开关器件采用开关材料晶态‑液态‑晶态相变开关机理，具有开通电流大、漏电流小、阈值电压小、单元一致性高、与CMOS工艺兼容、热稳定好、元素简单、低毒性及可极度萎缩等优点，能够驱动相变存储单元、阻变存储单元、铁电存储单元、磁存储单元等存储单元，实现高密度三维信息存储。

本发明授权一种开关器件及存储器在权利要求书中公布了：1.一种开关器件，包括下电极、上电极及夹设于所述下电极与所述上电极之间的开关材料层，其特征在于：所述开关材料层的材料化学通式为（TexSeySz）1-a-bMaNb，其中，M与N为不同的元素，且M选自Be、Mg、Ca、Sr、Ba及Mn元素中的一种，N选自Be、Mg、Ca、Sr、Ba及Mn元素中的一种；x、y、z、a及b均为原子组分，且满足x+y+z=1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，0＜a+b＜1，0＜a≤0.5，0＜b≤0.5；所述开关器件处于开启状态时，所述开关材料层呈液态，且禁带宽度为0；所述开关器件处于关闭状态时，所述开关材料层呈结晶态，且所述开关材料层与所述上电极之间形成肖特基势垒，所述开关材料层与所述下电极之间形成肖特基势垒。

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