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龙图腾网恭喜美满芯盛(杭州)微电子有限公司申请的专利一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113940459B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111245466.4，技术领域涉及：A24F40/46；该发明授权一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构及其制造方法是由李文翔;王敏锐设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构，包括：硅基加热片和多孔陶瓷芯，硅基加热片包括加热丝和硅基衬底，加热丝制作在硅基衬底表面，硅基衬底上设置有阵列排布的雾化微孔，硅基衬底固定安装在多孔陶瓷芯上，雾化微孔连通多孔陶瓷芯。本发明还公开了一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构的制造方法。本发明相较于现有技术，避免雾化芯漏液，降低加工难度，提高良品率，增加雾化芯雾化加热面积，提高温度均匀性，增大发雾量，减少干烧。

本发明授权一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构的制造方法，其特征在于，雾化芯结构包括：硅基加热片1和多孔陶瓷芯2，所述硅基加热片1包括加热丝11和硅基衬底12，所述加热丝11制作在所述硅基衬底12表面，所述硅基衬底12上设置有阵列排布的雾化微孔121，所述硅基衬底12固定安装在所述多孔陶瓷芯2上，所述雾化微孔121连通所述多孔陶瓷芯2；雾化芯结构的制造方法，包括以下步骤：S1、准备硅基衬底12；S2、在所述硅基衬底12上沉积金属，并通过干法蚀刻或湿法腐蚀工艺做出特定图形，形成加热丝11；S3、在所述硅基衬底12上蚀刻雾化微孔121；S4、对所述硅基衬底12背面进行减薄，漏出正面所述雾化微孔121，形成硅基加热片1；S5、将所述硅基加热片1和多孔陶瓷芯2贴合，形成雾化芯；在所述步骤S5中，所述硅基加热片1和所述多孔陶瓷芯2直接贴合或者通过玻璃浆料粘结工艺、金属共晶工艺贴合；硅基加热片1和多孔陶瓷芯2之间加高温垫，高温垫包括棉质材料。

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