恭喜科磊股份有限公司M·吉诺乌克获国家专利权
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龙图腾网恭喜科磊股份有限公司申请的专利用于改进叠加误差计量的感应位移获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117546090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180099693.2,技术领域涉及:G03F7/20;该发明授权用于改进叠加误差计量的感应位移是由M·吉诺乌克;Y·弗莱设计研发完成,并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于改进叠加误差计量的感应位移在说明书摘要公布了:一种用于半导体计量的方法包含将第一薄膜层沉积在半导体衬底上并沉积上覆所述第一薄膜层的第二薄膜层。图案化所述第一薄膜层及所述第二薄膜层以定义多个叠加目标,所述多个叠加目标包括:第一目标特征,其形成于所述第一薄膜层中具有隔开第一标称距离的相应第一位置;及第二目标特征,其形成于所述第二薄膜层中具有隔开与所述第一标称距离不同的第二标称距离的相应第二位置。处理所述半导体衬底的图像以测量所述叠加目标中的每一者中的所述第一目标位置与所述第二目标位置之间的相应位移,且估计所述第一薄膜层与所述第二薄膜层的所述图案化之间的实际叠加误差及成像组合件的测量误差两者。
本发明授权用于改进叠加误差计量的感应位移在权利要求书中公布了:1.一种用于半导体计量的方法,其包括:将第一薄膜层沉积在半导体衬底上并沉积上覆所述第一薄膜层的第二薄膜层;图案化所述第一薄膜层及所述第二薄膜层以定义多个叠加目标,所述多个叠加目标包括:第一目标特征,其形成于所述第一薄膜层中具有隔开第一标称距离的相应第一位置;及第二目标特征,其形成于所述第二薄膜层中具有隔开与所述第一标称距离不同的第二标称距离的相应第二位置,每一第二目标特征上覆相应第一目标特征以定义所述叠加目标中的相应者;使用成像组合件捕获已在其上形成所述叠加目标的所述半导体衬底的至少一个图像;处理所述至少一个图像以测量所述叠加目标中的每一者中的所述相应第一位置与所述第二位置之间的位移;及基于经测量位移及所述第一标称距离及所述第二标称距离,估计所述第一薄膜层与所述第二薄膜层的所述图案化之间的实际叠加误差及所述成像组合件的测量误差两者。
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