恭喜华中科技大学梁琳获国家专利权
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龙图腾网恭喜华中科技大学申请的专利电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005742B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111175914.8，技术领域涉及：H01L21/26；该发明授权电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置是由梁琳;张子扬设计研发完成，并于2021-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了电子辐照下SiCMOSFET阈值电压恢复方法及装置，属于SiCMOSFET的阈值电压恢复领域，方法包括：将待恢复的SiCMOSFET裸芯片固定，且将待恢复的SiCMOSFET裸芯片的各电极引出；对待恢复的SiCMOSFET裸芯片进行若干次连续电子辐照；电子辐照后，测量待恢复的SiCMOSFET阈值电压，当实际阈值电压与健康阈值电压相比较，若两者相等，则停止对待恢复的SiCMOSFET裸芯片的电子辐照；否则，继续对待恢复的SiCMOSFET裸芯片进行电子辐照；本发明实现了失效SiCMOSFET的回收再利用。
本发明授权电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种电子辐照下SiCMOSFET阈值电压恢复方法，其特征在于，包括以下步骤：将待恢复的SiCMOSFET裸芯片固定，且将所述待恢复的SiCMOSFET裸芯片的各电极引出；对所述待恢复的SiCMOSFET裸芯片进行若干次连续电子辐照，且电子能量的选取保证电子能够入射至待恢复SiCMOSFET裸芯片的栅氧化物中；在电子辐照后，将待恢复的SiCMOSFET漏极与栅极短接，测量实际阈值电压，当所述实际阈值电压与健康阈值电压相比较，若两者相等，则停止对所述待恢复的SiCMOSFET裸芯片的电子辐照；否则，继续对所述待恢复的SiCMOSFET裸芯片进行电子辐照；其中，所述健康阈值电压为SiCMOSFET芯片正常状态下的阈值电压；所述待恢复的SiCMOSFET未进行电子辐照之前的阈值电压大于健康阈值电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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