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龙图腾网恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利水平辐射方向的天线封装结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172180B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110368756.1，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权水平辐射方向的天线封装结构及制备方法是由陈彦亨;林正忠设计研发完成，并于2021-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本水平辐射方向的天线封装结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种水平辐射方向的天线封装结构及制备方法。制备方法包括步骤：提供支撑基底，形成分离层；于分离层上形成重新布线层；于重新布线层上形成天线阵列层，与金属线层电连接；天线阵列层包括呈阵列排布的多个天线，天线沿水平方向辐射；形成塑封材料层将天线阵列层塑封；去除支撑基底和分离层；于重新布线层背离天线阵列层的表面形成焊球凸块与金属线层电连接；将芯片贴置于焊球凸块上。本发明将天线设计为沿水平方向辐射的结构，天线高度无需做很高，由此可以降低包覆天线层的塑封层的高度，有助于提高天线频率和进一步缩小器件尺寸，同时因天线沿水平方向的拓展空间很大，可以根据器件需求灵活设计天线结构，有助于提高器件性能。

本发明授权水平辐射方向的天线封装结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种水平辐射方向的天线封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；于所述分离层上形成重新布线层，所述重新布线层包括介质层及位于所述介质层内以及介质层表面的金属线层；于所述重新布线层上形成天线阵列层，所述天线阵列层与所述金属线层电连接；所述天线阵列层包括呈阵列排布的多个天线，所述天线沿水平方向辐射；所述天线包括多个沿第一方向延伸的第一金属片和多个沿第二方向延伸的第二金属片，所述多个第一金属片平行间隔设置，所述多个第二金属片平行间隔设置，且所述第二金属片的两端分别与所述第一金属片相连接；所述第一方向与所述第二方向不相平行；形成塑封材料层，所述塑封材料层将所述天线阵列层塑封；去除所述支撑基底和所述分离层；于所述重新布线层背离所述天线阵列层的表面形成焊球凸块，所述焊球凸块与所述金属线层电连接；将芯片贴置于所述焊球凸块上。

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