恭喜台湾积体电路制造股份有限公司金海光获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112687791B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010411079.2，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权半导体装置及其制作方法是由金海光;江法伸;林杏莲;吴启明设计研发完成，并于2020-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及半导体装置及其制作方法。本发明实施例提供一种半导体装置，其包含扩散势垒结构、底部电极、所述底部电极上方的顶部电极、切换层及罩盖层。所述底部电极在所述扩散势垒结构上方。所述顶部电极在所述底部电极上方。所述切换层在所述底部电极与所述顶部电极之间，且经配置以存储数据。所述罩盖层在所述顶部电极与所述切换层之间。所述扩散势垒结构的热导率大于近似20WmK。
本发明授权半导体装置及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括：扩散势垒结构；底部电极，其在所述扩散势垒结构上方；顶部电极，其在所述底部电极上方；切换层，其在所述底部电极与所述顶部电极之间，且经配置以存储数据；及罩盖层，其在所述切换层与所述顶部电极之间，其中所述扩散势垒结构的热导率大于20瓦特米开式温度WmK，及其中所述扩散势垒结构包括第一氮化钽TaN层及所述第一氮化钽TaN层上的钽Ta层，且所述钽Ta层邻接所述底部电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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