买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜剑桥氮化镓器件有限公司申请的专利基于III族氮化物功率半导体的异质结功率器件及其制造方法、及具有至少三个端子的异质结芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113826205B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080034026.1，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权基于III族氮化物功率半导体的异质结功率器件及其制造方法、及具有至少三个端子的异质结芯片是由弗洛林·乌德雷亚;马丁·阿诺德;洛伊佐斯·埃夫蒂米乌;焦尔贾·隆戈巴尔迪;保罗·瑞安设计研发完成，并于2020-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于III族氮化物功率半导体的异质结功率器件及其制造方法、及具有至少三个端子的异质结芯片在说明书摘要公布了：本公开涉及GaN技术中的功率半导体器件。本公开提出集成的辅助双栅极端子和下拉网络以实现具有高于2V的阈值电压、低栅极漏电流和增强的开关性能的常关E模式GaN晶体管。高阈值电压GaN晶体管具有高压有源GaN器件和低压辅助GaN器件，其中，高压GaN器件具有与集成的辅助低压GaN的源极12连接的栅极10晶体管和作为外部高压漏极端子9的漏极以及作为外部源极端子8的源极，而低压辅助GaN晶体管具有连接至漏极第二辅助电极16的用作外部栅极端子的栅极第一辅助电极15。在实施例中，用于关断高阈值电压GaN晶体管的下拉网络由附加的辅助低压GaN晶体管34以及与低压辅助GaN晶体管并联或串联连接的电阻元件形成。

本发明授权基于III族氮化物功率半导体的异质结功率器件及其制造方法、及具有至少三个端子的异质结芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于III族氮化物功率半导体的异质结功率器件，所述异质结功率器件包括：有源异质结晶体管，形成在衬底上，所述有源异质结晶体管包括：第一III族氮化物半导体区，包括第一异质结，所述第一异质结包括第二导电类型的有源二维载气；第一端子，操作性地连接至所述III族氮化物半导体区；第二端子，与所述第一端子横向间隔开并操作性地连接至所述III族氮化物半导体区；有源栅极区，形成在所述III族氮化物半导体区之上，所述有源栅极区形成在所述第一端子与所述第二端子之间；辅助异质结晶体管，形成在所述衬底或另外的衬底上，所述辅助异质结晶体管包括：第二III族氮化物半导体区，包括第二异质结，所述第二异质结包括第二导电类型的辅助二维载气；第一附加端子，操作性地连接至所述第二III族氮化物半导体区；第二附加端子，与所述第一附加端子横向间隔开并操作性地连接至所述第二III族氮化物半导体区；辅助栅极区，形成在所述第二III族氮化物半导体区之上，所述辅助栅极区形成在所述第一附加端子与所述第二附加端子之间；其中，所述第一附加端子与所述辅助栅极区操作性地连接，并且其中，所述第二附加端子与所述有源栅极区操作性地连接；并且其中，所述辅助异质结晶体管为第一辅助异质结晶体管，并且其中，所述异质结功率器件还包括与所述第一辅助异质结晶体管操作性地并联连接的第二辅助异质结晶体管，以及其中，所述第一辅助异质结晶体管的第一附加端子与所述第二辅助异质结晶体管的源极端子操作性地连接，而所述第一辅助异质结晶体管的第二附加端子与所述第二辅助异质结晶体管的漏极端子操作性地连接；以及所述异质结功率器件还包括有源米勒钳位器，该有源米勒钳位器包括逻辑逆变器和用作下拉网络的有源地开关的晶体管，并且其中，所述逻辑逆变器包括电阻器或电阻元件以及增强模式晶体管。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人剑桥氮化镓器件有限公司，其通讯地址为：英国剑桥；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。